[发明专利]半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710521739.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216430A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张新;李巍 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 终端结构 半导体 掺杂 制备 多晶场板 衬底 沉淀形成 金属场板 介质层 光刻 半导体器件工艺 表面电荷 工艺成本 掺杂的 屏蔽 耐压 推结 沉淀 兼容 腐蚀 终端 | ||
1.一种半导体横向变掺杂终端结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上进行环光刻；
通过环注入P型离子，并经过推结后形成横向变掺杂的P型耐压区域；
在所述半导体衬底上沉淀形成多晶场板；
经在所述多晶场板光刻及腐蚀后形成介质层沉淀；
在所述介质层上沉淀形成金属场板。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上进行环光刻，包括：
在所述半导体衬底上形成掩膜层；
通过对所述掩膜层显影出形成环窗口，以供所述P型离子注入。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上沉淀形成多晶场板之前，还包括：
去除掩膜层；
在所述半导体衬底上形成氧化层，以供所述多晶场板沉淀。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层上沉淀形成金属场板，包括：
在所述介质层上进行孔光刻及腐蚀；
在所述介质层上通过金属沉淀以形成金属场板。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底包括N+型衬底和N-型外延层，所述P型耐压区位于所述N-型外延层内。
6.一种半导体横向变掺杂终端结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
设于所述半导体衬底内的P型耐压区；
形成于所述半导体衬底上的多晶场板；
位于所述多晶场板上的介质层；以及
形成于所述介质层上的金属场板。
7.根据权利要求6所述的半导体横向变掺杂终端结构，其特征在于，所述P型耐压区包括设于所述半导体衬底的场限环，以及位于场限环内的P型离子。
8.根据权利要求6所述的半导体横向变掺杂终端结构，其特征在于，所述介质层为氧化物介质层。
9.根据权利要求6所述的半导体横向变掺杂终端结构，其特征在于，所述金属场板选自铝、银、中的一种或两种。
10.根据权利要求6所述的半导体横向变掺杂终端结构，其特征在于，所述半导体衬底包括N+型衬底和N-型外延层，所述P型耐压区位于所述N-型外延层内。
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