[发明专利]一种高性能FINFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710523018.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107393964B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种FINFET器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一半导体衬底；半导体衬底采用单晶硅衬底；
步骤02：采用各向同性刻蚀，刻蚀半导体衬底，从而在半导体衬底中形成具有弧形侧壁的至少两个沟槽；
步骤03：在沟槽侧壁和底部以及半导体衬底表面形成介质层；
步骤04：采用各向异性刻蚀，去除沟槽底部的介质层；
步骤05：采用各向同性刻蚀，从沟槽底部继续向下刻蚀，从而在沟槽底部的半导体衬底中形成具有弧形侧壁的另一沟槽；之后，将介质层全部去除，从而降低鳍的宽度，提高衬底上的鳍的排布密度，降低单根鳍上的栅极长度；
步骤06：重复步骤03～05，从而在半导体衬底中形成具有多个弧形凹槽侧壁的鳍；其中，获得的具有多个弧形凹槽侧壁的鳍中，弧形凹槽侧壁的端部相连，从而在相邻的弧形凹槽侧壁之间形成尖端，以提高硅鳍的长度，来提高FINFET的驱动电流。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，介质层的形成采用气相沉积工艺。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所形成的介质层为氧化薄膜，所述步骤01中，还包括：对半导体衬底进行离子注入，形成具有掺杂类型的半导体衬底。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，各向异性刻蚀过程中，采用等离子体刻蚀与半导体衬底表面垂直的所有面。
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