[发明专利]背板衬底、其制造方法以及使用其的有机发光显示装置

权利要求书

1.一种背板衬底，包括：

具有多个子像素的衬底；

驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管位于每个子像素中，所述驱动薄膜晶体管包括第一栅电极、由多晶硅形成的第一有源层、连接至所述第一有源层的第一沟道的相对侧的第一源电极和第一漏电极、以及在所述第一有源层与所述第一栅电极之间的第一栅绝缘层；以及

开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管位于每个子像素中以连接至所述驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括第二栅电极、由多晶硅形成的第二有源层、连接至所述第二有源层的第二沟道的相对侧的第二源电极和第二漏电极、以及在所述第二有源层与所述第二栅电极之间的第二栅绝缘层，

其中，所述第一有源层和所述第二有源层位于同一层中，

其中，所述第一栅电极和所述第一栅绝缘层位于所述第一有源层和所述第二有源层下方，

其中，所述第二栅电极和所述第二栅绝缘层位于所述第一有源层和所述第二有源层上方，

其中，所述第一栅电极与所述第一有源层之间的第一距离比所述第二栅电极与所述第二有源层之间的第二距离长，并且

其中，所述第一栅电极比所述第二栅电极薄。

2.根据权利要求1所述的背板衬底，其中，所述第一栅绝缘层比所述第二栅绝缘层厚。

3.根据权利要求1所述的背板衬底，其中，所述第一栅电极的厚度在至的范围内。

4.根据权利要求1所述的背板衬底，还包括缓冲薄膜晶体管，所述缓冲薄膜晶体管包括与所述第二栅电极位于同一层中的第三栅电极、与所述第二源电极和所述第二漏电极分别位于同一层中的第三源电极和第三漏电极。

5.根据权利要求1所述的背板衬底，其中，所述第一栅电极向一侧延伸并通过接触部连接至所述第二源电极，所述接触部穿过所述第二源电极与所述第一栅电极之间的层间绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层。

6.根据权利要求4所述的背板衬底，其中，所述第一源电极连接至所述第三源电极。

7.根据权利要求1所述的背板衬底，其中，所述第一栅电极的厚度在至的范围内。

8.根据权利要求1所述的背板衬底，其中，所述衬底被划分成具有所述子像素的有源区域和外围区域，并且所述背板衬底还包括所述外围区域中的与所述开关薄膜晶体管具有相同的结构的电路薄膜晶体管。

9.根据权利要求1所述的背板衬底，其中，所述驱动薄膜晶体管的S因子是0.2V/dec或更大，并且所述开关薄膜晶体管的S因子小于0.2V/dec，其中S因子是从薄膜晶体管导通的时间到漏极电流饱和的时间的所述漏极电流的梯度的倒数。

10.一种背板衬底，包括：

具有多个子像素的衬底；

驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管位于每个子像素中，所述驱动薄膜晶体管包括第一栅电极、由多晶硅形成并且位于所述第一栅电极上方的第一有源层、连接至所述第一有源层的第一沟道的相对侧的第一源电极和第一漏电极、以及在所述第一有源层与所述第一栅电极之间的第一栅绝缘层；以及

开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管位于每个子像素中以连接至所述驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括第二栅电极、由多晶硅形成并且位于所述第二栅电极下方的第二有源层、连接至所述第二有源层的第二沟道的相对侧的第二源电极和第二漏电极、以及在所述第二有源层与所述第二栅电极之间的第二栅绝缘层，

其中，所述第一有源层和所述第二有源层位于同一层中，

其中，所述第一栅电极与所述第一有源层之间的第一距离比所述第二栅电极与所述第二有源层之间的第二距离长，并且

其中，所述第一栅电极比所述第二栅电极薄。