[发明专利]正负压电流偏置转换电路在审
| 申请号： | 201710523591.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107370486A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘程斌 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司43216 | 代理人： | 胡国良 |
| 地址： | 410125 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正负 压电 偏置 转换 电路 | ||
1.一种正负压电流偏置转换电路，包括相互电连接的正电压域电路单元和负电压域电路单元，其特征在于：所述正负压电流偏置转换电路还包括分别用于对所述正电压域电路单元和所述负电压域电路单元进行开启/关断的控制单元，所述控制单元包括依次串联于所述正电压域电路单元和所述负电压域电路单元的第一晶体管和第二晶体管。
2.根据权利要求1所述的正负压电流偏置转换电路，其特征在于：所述正电压域电路单元包括第三晶体管、第四晶体管和电流源，所述第三晶体管的栅极连接至所述第三晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接至正电压电源端，所述第三晶体管的漏极通过所述电流源接地；所述第四晶体管的栅极连接至所述第三晶体管的栅极，所述第四晶体管的源极连接至正电压电源端，所述第四晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极；
所述第一晶体管的栅极连接至所述正电压电源端，所述第一晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的源极；所述第二晶体管的栅极连接至负电压电源端；
所述负电压域电路单元包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的栅极连接至所述第五晶体管的漏极，所述第五晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的漏极，所述第五晶体管的源极连接至负电压电源端；所述第六晶体管的栅极连接至所述第五晶体管的栅极，所述第六晶体管的源极连接至负电压电源端，所述第六晶体管的漏极用于提供电流偏置。
3.根据权利要求2所述的正负压电流偏置转换电路，其特征在于：所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管为PMOS晶体管；所述第五晶体管和所述第六晶体管为NMOS晶体管。
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