[发明专利]一种静电卡盘在审
申请号: | 201710523780.1 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN107301970A | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 林兴;周建华;Z·J·叶;陈建;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 卡盘 | ||
1.一种静电卡盘,包括:
主体,所述主体耦合到支撑杆,所述主体具有基板支撑表面;
肩部,所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出,其中绕所述主体的周边设置所述肩部;
内部电极,所述内部电极嵌入在所述主体内,所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域;以及
外部电极,所述外部电极嵌入在所述主体内,所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部,并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。
2.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极径向地延伸至超出将设置在所述基板支撑表面上的基板的边缘的区域。
3.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述外部电极在所述肩部下方径向地延伸。
4.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述主体包括氮化铝或氧化铝。
5.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极和外部电极连接至公共电源。
6.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述公共电源是RF电源、DC电源或它们的组合。
7.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极连接至第一电源,并且所述外部电极连接至第二电源,其中所述第一电源和所述第二电源中的每一个包括RF电源、DC电源或它们的组合。
8.如权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一电源是DC电源,并且所述第二电源是RF电源。
9.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,进一步包括:
一个或多个加热元件,所述一个或多个加热元件嵌入在所述主体中,其中沿着与所述内部电极相同的平面设置所述加热元件。
10.一种静电卡盘,包括:
主体,所述主体耦合到支撑杆,所述主体具有基板支撑表面;
多个突片,所述多个突片从所述主体的基板支撑表面突出,其中环绕所述主体的周边设置所述多个突片;
内部电极,所述内部电极嵌入在所述主体内,所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述突片的区域;以及
外部电极,所述外部电极嵌入在所述主体内,所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部,其中所述外部电极从邻近所述突片的区域径向地延伸至所述主体的周边,并且所述外部电极设置在所述内部电极上方。
11.如权利要求10所述的静电卡盘,其特征在于,所述主体包括氮化铝或氧化铝。
12.如权利要求10所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极和外部电极连接至公共电源。
13.如权利要求12所述的静电卡盘,其特征在于,所述公共电源是RF电源、DC电源或它们的组合。
14.如权利要求10所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极连接至第一电源,并且所述外部电极连接至第二电源,其中所述第一电源和所述第二电源中的每一个包括RF电源、DC电源或它们的组合。
15.如权利要求14所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一电源是DC电源,并且所述第二电源是RF电源。
16.如权利要求10所述的静电卡盘,其特征在于,进一步包括:
边缘环,所述边缘环绕所述多个突片,其中所述边缘环由具有与将设置在所述基板支撑表面上的基板的介电常数类似的介电常数的材料制成。
17.如权利要求16所述的静电卡盘,其特征在于,所述边缘环成形为梯形且具有相对于所述基板支撑表面成大约10°至90°的角的斜坡。
18.如权利要求16所述的静电卡盘,其特征在于,所述边缘环与所述多个突片之间的距离为大约0.060英寸至大约0.500英寸。
19.如权利要求16所述的静电卡盘,其特征在于,所述多个突片与所述基板的边缘之间的距离为大约0.040英寸至大约0.050英寸。
20.如权利要求16所述的静电卡盘,其特征在于,所述边缘环包括:石英、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiN)、含有钇的材料、氧化钇(Y2O3)、钇铝石榴石(YAG)、氧化钛(TiO)、氮化钛(TiN)、碳化硅(SiC)、ASMY(氧化铝硅镁钇)、由Y4Al2O9(YAM)的化合物和Y2-xZrxO3的固体溶液(Y2O3-ZrO2固体溶液)构成的高性能材料(HPM)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、碳化钛(TiC)、碳化硼(BxCy)或氮化硼(BN)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造