[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：

空穴注入层，包括第一掺杂层和第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层由P-型掺杂物组成；所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料，所述第一掺杂层的厚度为1nm~10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm~20nm；

空穴传输层，形成于所述空穴注入层上，所述第二掺杂层直接接触所述空穴传输层；

以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：

其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；

R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO₂、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6~C30的亚稠杂环芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一种；

R9、R10、R11和R12独立选自C6~C30的芳基中的一种；

式(2)中A1和A2独立选自C6~C30芳基和C6~C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；

并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二掺杂层中，所述P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt%~8wt%。

3.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：

空穴注入层，包括第一掺杂层和第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层由P-型掺杂物组成；所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料，所述第一掺杂层的厚度为1nm~10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm~20nm；

空穴传输层，形成于所述空穴注入层上，所述第一掺杂层直接接触所述空穴传输层；

以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：

其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；

R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO₂、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6~C30的亚稠杂环芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一种；

R9、R10、R11和R12独立选自C6~C30的芳基中的一种；

式(2)中A1和A2独立选自C6~C30芳基和C6~C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；

并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料选自式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示结构的茚并芴衍生物中的至少一种：

其中，A和B独立选自苯基、萘基和苯胺基中的一种；

R9、R10、R11和R12独立选自C6~C30的芳基中的一种；

R13选自C1~C6烷基和羟基中的一种。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件为共用蓝光电子阻挡层的有机电致发光器件。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成空穴注入层，所述空穴注入层包括第一掺杂层和第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层由P-型掺杂物组成，所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料，所述第一掺杂层的厚度为1nm~10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm~20nm；

在所述空穴注入层上形成空穴传输层，所述第二掺杂层直接接触所述空穴传输层；

以及在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：

其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；

R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO₂、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6~C30的亚稠杂环芳基、C6~C20的烷基和C6~C30的醇基中的一种；

R9、R10、R11和R12独立选自C6~C30的芳基中的一种；

式(2)中A1和A2独立选自C6~C30芳基和C6~C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；

并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。