[发明专利]一种氮化镓二极管的制备方法和氮化镓三极管的制备方法有效
| 申请号： | 201710523997.2 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107316813B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张葶葶;朱延刚;李亦衡 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/33;H01L29/20 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 二极管 制备 方法 三极管 | ||
1.一种氮化镓二极管的制备方法，包括以下步骤：
(1)在衬底上依次生长N+氮化镓层和N-氮化镓层，然后对所述N-氮化镓层进行刻蚀，形成多个分布于N+氮化镓层表面的N-氮化镓岛；
(2)在所述步骤(1)中的N-氮化镓岛表面覆盖第一金属层，形成金属-氮化镓岛；在N+氮化镓层表面覆盖第二金属层；
(3)对所述步骤(2)中的金属-氮化镓岛进行电学特性测试，标记不合格岛；
(4)在所述步骤(2)中的第一金属层和第二金属层表面覆盖钝化层，在钝化层表面覆盖正性光刻胶，然后将用于钝化层窗口开口的光刻版对应不合格岛位置的开口进行遮光处理后，覆盖于正性光刻胶表面，进行曝光，在光刻版上不合格岛对应的开口处涂覆遮光液，保留不合格岛对应位置的钝化层；
(5)在所述步骤(4)中刻蚀后的钝化层表面覆盖第三金属层，将第三金属层分离成正极和负极，布线封装后得到氮化镓二极管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述涂覆为利用晶圆打点器进行打点。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光刻版经清洗后重复使用。
4.一种氮化镓三极管的制备方法，包括以下步骤：
(a)在衬底上依次生长氮化镓层和铝镓氮层，然后对所述铝镓氮层和部分氮化镓层进行刻蚀，形成多个分布于氮化镓层表面的氮化镓-铝镓氮岛；
(b)在所述步骤(a)得到的产物背离衬底一端的表面覆盖第一金属层和第二金属层；所述第一金属层形成第一电极单元和第二电极单元，使所述第一电极单元覆盖于一个氮化镓-铝镓氮岛上，所述第二电极单元覆盖于两个相邻岛上；所述第二金属层穿插于第一电极单元和第二电极单元之间形成第三电极单元；
(c)对所述步骤(b)得到的产物中的氮化镓-铝镓氮岛进行电学特性测试，标记不合格岛；
(d)在所述步骤(b)得到的产物背离衬底一端的表面覆盖钝化层，在钝化层表面覆盖正性光刻胶，然后将用于钝化层窗口开口的光刻版对应不合格岛位置的开口进行遮光处理后，覆盖于正性光刻胶表面，进行曝光，在光刻版上不合格岛对应的开口处涂覆遮光液，保留不合格岛对应位置的钝化层；
(e)在所述步骤(d)中刻蚀后的钝化层表面覆盖第三金属层，然后对第三金属层进行分离，布线封装后得到氮化镓三极管。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述涂覆为利用晶圆打点器进行打点。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述光刻版经清洗后重复使用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
