[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种具备对输入信号水平进行判定的输入判定电路的半导体装置。

背景技术

一般在基于输入信号来驱动半导体开关元件的半导体装置中设置输入判定电路，该输入判定电路具有对输入信号电压水平进行判定的比较器。另外，在对以绝缘栅双极型晶体管(以下IGBT)为代表的能够流通大电流的功率开关进行驱动的情况下，无法忽视作为电流路径的布线等微小电阻成分，例如存在如下情况：最靠近功率开关元件的地的电位上升同该微小电阻与大电流之积相应的量，成为误动作的原因，因此，有时与信号传递用的地分开来使用(例如参照专利文献1)。

在专利文献1所记载的输入判定电路中，如图6所示，具有比较器102，该比较器102连接在直流输入端子101与第一基准电位G1的地GND1之间，被提供直流电源。通过该比较器102将从ECU 103输入的输入信号电压Vin与参考信号电压Vref进行比较来进行水平判定。在此，输入到比较器102的参考电压Vref是从连接在直流输入端子101与第二基准电位G2的地GND2之间的恒流电路105与电阻106间的连接点输出的，该第二基准电位G2与第一基准电位G1不同。而且，恒流电路107与P沟道MOSFET 108的串联电路与恒流电路105并联连接，从比较器102输出的判定信号Sj被提供到P沟道MOSFET 108的栅极。由此，输入信号电压Vin与参考信号电压Vref是以同一基准电位(地GND2)形成的，因此能够通过比较器102进行精度高的输入判定。

专利文献1：日本专利第5900149号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，在专利文献1所记载的输入判定电路中，即使在基准电压源的电位、比较器的驱动电压发生变动的情况下，只要不脱离比较器的同相输入电压范围，就能够使输入信号电压与参考信号电压的电位差固定来准确地判定输入信号电压。然而，来自ECU的输入信号被直接提供到比较器的输入电压端子，因此存在以下问题：在该输入信号中叠加有浪涌电压、噪声的情况下，判定结果会受浪涌电压、高频噪声的影响。

另一方面，在专利文献1所记载的输入判定电路中，为了去除浪涌电压、高频噪声，可考虑如图6所示那样在电阻106同地GND2的连接点与比较器102同地GND1的连接点之间连接应对噪声用的电容器109。为了充分去除噪声，本来在输入信号电压Vin与地GND1之间也应该有电容器，但是已确认了利用电容器109也对于噪声具有足够的抗性。

然而，为了利用连接在地GND1与GND2之间的电容器109来应对噪声，电容器109的容量需要为几十nF左右，电容器会变得大型而无法内置于半导体芯片，要将电容器外置，从而存在部件数量增加的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种具备不将电容器外置就能够去除浪涌电压、高频噪声的输入判定电路的半导体装置。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明所涉及的半导体装置的一个方式具备：彼此分离的第一基准电位及第二基准电位；第三电位，其电位比第一基准电位及第二基准电位高；输入判定电路，其具有比较器和参考电压生成电路，该比较器以第一基准电位为基准来被驱动，具有输入电压端子和参考电压端子，该参考电压生成电路将从被插入在第二基准电位与所述第三电位之间的恒流源与电阻的连接点生成的参考电压输入到比较器的参考电压端子；以及低通滤波器，其被插入在信号输入系统与第一基准电位或第二基准电位之间，该信号输入系统与比较器的输入电压端子连接。

发明的效果

根据本发明，不将电容器外置就能够不受浪涌电压、高频噪声的影响而稳定地判定输入信号水平，因此能够在维持功能的同时廉价地制造半导体装置。

附图说明

图1是表示本发明所涉及的半导体装置的一个实施方式的电路图。

图2是表示能够应用于图1的输入判定电路的第一实施方式的电路图。

图3是表示输入判定电路的第二实施方式的电路图。

图4是表示输入判定电路的第三实施方式的电路图。

图5是表示输入判定电路的第四实施方式的电路图。

图6是表示半导体装置的以往例的电路图。

附图标记说明