[发明专利]阵列电极的电化学约束刻蚀系统有效

专利信息
申请号: 201710524891.4 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107385504B 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 胡振江;闫永达;詹东平;曹永智;赵学森;韩联欢 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学;厦门大学
主分类号: C25F7/00 分类号: C25F7/00;C25F3/02;B23H3/04;B23H3/00;B81C1/00;B81B7/04;B82Y40/00
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 基于 电化学 约束 刻蚀 阵列 电极 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列电极的电化学约束刻蚀系统,其特征是:其组成包括主控制系统,所述的主控制系统将控制信号发送给电化学工作站、阵列电极控制与运动控制系统,所述的电化学工作站、阵列电极控制与运动控制系统再将信号反馈给主控制系统,所述的阵列电极(1)包括多个单元电极,每个单元电极均对应一个模拟开关,每个电极的大小及形态,需要均匀一致。

2.根据权利要求1所述的阵列电极的电化学约束刻蚀系统的其加工方法,其特征是:通过以下步骤实现:

步骤一:将样品(10)摆放在化学工作台(2)上并进行初步机械手动调平;

步骤二:操作主控制系统向运动控制系统中的C轴(6)、Y轴(7)与X轴(8)发送运动控制信号,进行加工开始前的定位动作;

步骤三:操作主控制系统向运动控制系统中的Z1粗动(3)与Z2微动(4)发送运动控制信号,进行阵列电极(1)微力传感器(5)对样品(10)的逼近寻零动作;通常Z2微动的移动范围为Z1粗动重复定位精度的10倍: 50-100微米;本步骤的逼近寻零与原子力显微镜的逼近寻零过程相同;

步骤四:在进行完步骤二与步骤三的加工准备后,操作主控制系统通过阵列电极控制,对阵列电极(1)的每个电极施加预先编制好的不同加工时间来控制该电极的加工深度,由此实现可编程的三维加工;

步骤五:加工完成后进行每个横向或纵向M与每个纵向或横向N的位置步进调整,循环往复直到所有横向或纵向M与纵向或横向N个位置全部进行完毕;

步骤六:电化学工作站对样品(10)进行在线扫描检测;

步骤七:样品(10)扫描完成后,修正数据,再以修整后的数据重复上述加工过程直至达到加工精度。

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