[发明专利]一种半导体激光器以及制作方法以及设备有效
| 申请号： | 201710525195.5 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107302184B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;宁永强;张星;贾鹏;秦莉;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 以及 制作方法 设备 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：
衬底；
设置在所述衬底一侧的N面波导层；
设置在所述衬底一侧且背离所述N面波导层的N面电极；
设置在所述N面波导层一侧且背离所述衬底的发光区；
设置在所述发光区一侧且背离所述N面波导层的P面波导层；
设置在所述P面波导层一侧且背离所述发光区的P面盖层；
设置在所述P面盖层一侧且背离所述P面波导层的P面电极；
设置在所述P面盖层上且内嵌至所述P面电极中的电流阻挡层；
其中，所述电流阻挡层将所述P面电极划分为多个电流注入区域，且所述电流注入区域的大小由所述P面电极的中间至两端逐步减小。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述P面电极与所述P面盖层之间电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述N面电极与所述衬底之间电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述电流阻挡层的材料为绝缘材料。
5.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，用于制作上述如权利要求1-4任一项所述的半导体激光器，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底一侧形成N面波导层；
在所述衬底一侧且背离所述N面波导层上形成N面电极；
在所述N面波导层一侧且背离所述衬底上形成发光区；
在所述发光区一侧且背离所述N面波导层上形成P面波导层；
在所述P面波导层一侧且背离所述发光区上形成P面盖层；
在所述P面盖层一侧且背离所述P面波导层上形成P面电极；
在所述P面盖层上形成电流阻挡层，且所述电流阻挡层内嵌至所述P面电极中；
其中，所述电流阻挡层将所述P面电极划分为多个电流注入区域，且所述电流注入区域的大小由所述P面电极的中间至两端逐步减小。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P面盖层上形成电流阻挡层，且所述电流阻挡层内嵌至所述P面电极中包括：
在所述P面盖层上沉积绝缘材料层；
在所述绝缘材料层上制备有机物光刻胶掩膜层；
通过曝光处理形成预设图案；
对曝光出的绝缘材料层进行刻蚀处理，直至所述P面盖层；
去除剩余的有机物光刻胶掩膜层，形成所述电流阻挡层；
在所述电流阻挡层上蒸镀电极金属，形成所述P面电极，以使所述电流阻挡层内嵌至所述P面电极中。
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