[发明专利]AMOLED用金属掩膜板的制造方法

说明书

一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括：形成具有导电图形电极层的基板；对基板进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板；将AMOLED用金属掩膜板从基板分离；以及对基板重复进行电铸生长形成AMOLED用金属掩膜板。本发明提供的AMOLED用金属掩膜板的制造方法生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。

技术领域

本发明涉及一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，属于AMOLED显示技术领域。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器采用OLED用作发光光源，在显示性能方面与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)相比，具有显示反应速度快、超宽视角、超高对比度和饱和度、色域宽广(色彩覆盖率能达到NTSC110％)的优点。在显示屏结构上，AMOLED主动发光，耗电为LCD的60％，不需要背光模组，显示屏可以做到超薄柔性的优点。AMOLED结构比LCD简单，然而在现阶段，AMOLED的制造成本仍然高于LCD，高成本是制约AMOLED显示器进一步扩展的重要因素之一。

AMOLED与LCD面板在制造工艺上最大的差别就是需要采用有机发光材料作为发光源的有机成膜技术。真空蒸镀法是目前最为成熟，也是现有绝大部分量产的小尺寸AMOLED产品采用的有机成膜技术。在蒸镀过程中，需要使用FMM(Fine pitch Metal Mask/orShield Mask，精密金属镂空掩膜版)用于镀膜遮挡，产生像素图形，然后在真空环境下将有机材料加热使之蒸发并通过金属镂空掩膜版在基板上选择沉积成膜。金属镂空掩膜板属于AMOLED制程中的核心模具和耗材。

传统的大开口尺寸的金属掩膜板一般采用机械加工法，根据开口的图形尺寸进行钻、剪、锉、磨的加工方法。小开口金属镂空掩膜板使用化学蚀刻方法。随着显示技术发展和小面板对高分辨的要求，对掩膜板的精度提出了更高的要求，精密电铸的方法逐渐成为制备高精度金属掩膜板的优选方法。精密电铸的制造方法一般是制备图形掩膜板，然后在基板上涂胶，进行一次或多次紫外对准曝光，之后利用胶层的限制作用进行选择性电铸；整个工艺过程复杂，基板每次需重新制备，周期长，成本高，不利于工业化应用和推广。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。

本发明实施例提供一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括：形成具有导电图形电极层的基板；对基板进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板；将AMOLED用金属掩膜板从基板分离；以及对基板重复进行电铸生长形成AMOLED用金属掩膜板。

进一步地，形成具有导电图形电极层的基板的方法包括：提供衬底基材并在衬底基材上形成导电层；在导电层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光显影形成具有图案的光阻层；对导电层进行蚀刻形成具有图案的导电图形电极层；以及洗去导电图形电极层上的光阻层以形成具的导电图形电极层的基板。

进一步地，在导电层上形成光刻胶层之前还包括对导电层表面进行清洗处理。

进一步地，对基板进行电铸生长之前还包括对基板进行清洁和表面钝化处理。

进一步地，对基板重复进行电铸生长之前还包括对基板进行清洁和表面钝化处理。

进一步地，导电图形电极层的厚度为20～200纳米。

进一步地，导电图形电极层包括多个导电子图形，相邻的导电子图形之间的距离为D；AMOLED用金属掩膜板包括多个掩膜子图形，掩膜子图形的高度为d，其中：d<D/2。

进一步地，掩膜子图形的高度d的范围为5～30微米。

进一步地，形成具有导电图形电极层的基板的方法采用打印、选择性沉积中的一种。