[发明专利]MRAM与其的制作方法

权利要求书

1.一种MRAM的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1，在衬底的表面上设置金属导线层，所述金属导线层包括多个间隔的金属导线部；

步骤S3，在所述金属导线层的远离所述衬底的表面上设置介电层；

步骤S4，采用双大马士革工艺形成多个间隔的通孔，所述通孔开设在所述介电层中，所述通孔与所述金属导线部一一对应地连接，所述通孔包括第一部分与第二部分，所述第一部分靠近所述衬底，所述第二部分与所述第一部分连通，且所述第二部分的深度小于所述第一部分的深度，且所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；以及

步骤S5，在各所述通孔中填充底电极材料，形成底电极，所述底电极的远离所述衬底的表面与所述介电层的远离所述衬底的表面在同一个平面上，所述底电极材料为非铜的导电材料，

所述第一部分的深度为H，所述第一部分的宽度为W，H：W1。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S1与所述步骤S3之间，所述制作方法还包括：

步骤S2，在所述金属导线层的远离所述衬底的表面上设置阻挡层，所述通孔开设在所述介电层与所述阻挡层中。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S5包括：

步骤S51，在各所述通孔中设置所述底电极材料；以及

步骤S52，采用化学机械抛光法去除所述通孔外的所述底电极材料，所述通孔中的所述底电极材料形成所述底电极。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用研磨液实施所述步骤S52，所述研磨液对所述底电极材料的研磨速度为V1，所述研磨液对所述介电层的研磨速率为V2，V1：V250。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述底电极材料为TaN。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介电层的材料选自低K材料或超低K材料。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属导线层的材料为Cu。

8.一种MRAM，其特征在于，所述MRAM包括：

衬底（1）；

金属导线层（2），设置在所述衬底（1）的表面上，所述金属导线层（2）包括多个间隔的金属导线部；

介电层（4），设置在所述金属导线层（2）的远离所述衬底（1）的表面上，所述介电层（4）中开设有多个间隔的通孔（5），所述通孔（5）与所述金属导线部一一对应地连接，所述通孔（5）包括第一部分（51）与第二部分（52），所述第一部分（51）靠近所述衬底（1），所述第二部分（52）与所述第一部分（51）连通，且所述第二部分（52）的深度小于所述第一部分（51）的深度，且所述第二部分（52）的宽度大于所述第一部分（51）的宽度；以及

底电极（6），包括底电极材料（06），设置在各所述通孔（5）中，所述底电极（6）的远离所述衬底（1）的表面与所述介电层（4）的远离所述衬底（1）的表面在同一个平面上，所述底电极材料（06）为非铜的导电材料，

所述第一部分（51）的深度为H，所述第一部分（51）的宽度为W，H：W1。

9.根据权利要求8所述的MRAM，其特征在于，所述MRAM还包括：

阻挡层（3），设置在所述金属导线层（2）与所述介电层（4）之间，所述通孔（5）开设在所述阻挡层（3）与所述介电层（4）中。

10.根据权利要求8所述的MRAM，其特征在于，所述底电极材料（06）为TaN。