[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有源层；

在所述有源层的表面形成金属层；

在所述金属层的表面形成光刻胶层；

采用一次构图工艺对所述光刻胶层进行处理，形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区和光刻胶完全保留区；所述光刻胶部分保留区和光刻胶完全保留区相连；

对所述光刻胶完全去除区对应的所述金属层的区域进行完全氧化处理，形成第一钝化部；

去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶；

对所述光刻胶部分保留区对应的所述金属层的区域进行部分氧化处理，形成源漏极以及第二钝化部；所述源漏极与所述有源层接触，所述第二钝化部形成在所述源漏极远离所述有源层的一侧；所述第一钝化部和所述第二钝化部形成钝化层；

所述光刻胶完全保留区对应的所述金属层作为与源漏极连接的导电部；

去除所述光刻胶完全保留区的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶完全去除区对应的所述金属层的区域进行完全氧化处理的步骤包括：

采用阳极氧化法对所述光刻胶完全去除区对应的所述金属层的区域进行氧化处理，所述光刻胶完全去除区对应的金属层的金属材料被氧化为金属氧化物，使得所述光刻胶完全去除区对应的金属层形成第一钝化部。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶部分保留区对应的所述金属层的区域进行部分氧化处理的步骤包括：

采用阳极氧化法对所述光刻胶部分保留区对应的所述金属层的表面进行氧化处理，所述光刻胶部分保留区对应的金属层的表面金属材料被氧化为金属氧化物，使得所述光刻胶部分保留区对应的金属层的表面形成第二钝化部，所述光刻胶部分保留区对应的金属层的表面下方的金属材料形成源漏极。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶完全去除区对应的所述金属层的区域进行完全氧化处理的步骤包括：

采用等离子氧化处理工艺对应光刻胶完全去除区的区域进行氧化处理，所述光刻胶完全去除区对应的金属层的金属材料被氧化为金属氧化物，使得所述光刻胶完全去除区对应的金属层形成第一钝化部。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶的步骤包括：采用等离子氧化处理工艺对所述光刻胶部分保留区的光刻胶进行氧化处理，使得所述光刻胶部分保留区的光刻胶被氧化成气体；

所述对所述光刻胶完全去除区对应的所述金属层的区域进行完全氧化处理和所述去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶在一次等离子氧化处理工艺中完成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述光刻胶部分保留区对应的所述金属层的区域进行部分氧化处理的步骤包括：

采用等离子氧化处理工艺对所述光刻胶部分保留区对应的所述金属层的表面进行氧化处理，所述光刻胶部分保留区对应的金属层的表面金属材料被氧化为金属氧化物，使得所述光刻胶部分保留区对应的金属层的表面形成第二钝化部，所述光刻胶部分保留区对应的金属层的表面下方的金属材料形成源漏极。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶完全保留区的光刻胶的步骤包括：采用等离子氧化处理工艺对所述光刻胶完全保留区的光刻胶进行氧化处理，使得所述光刻胶完全保留区的光刻胶被氧化成气体。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺对所述光刻胶层进行处理的方法为半色调掩膜工艺。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝、镁、钛、铝合金、镁合金或钛合金。