[发明专利]半导体静电防护结构

权利要求书

1.一种半导体静电防护结构，包括：

衬底；

第一阱，形成于所述衬底上；

第二阱，形成于所述衬底上，并与所述第一阱相邻设置；

所述第一阱中设有第一掺杂区，所述第二阱中设有第二掺杂区和第三掺杂区，且所述第一阱和第二阱相邻的位置设有第四掺杂区；所述第一掺杂区、第四掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区依次排列，且相邻的不同掺杂类型的掺杂区之间相互隔离，相同掺杂类型的两个掺杂区之间的区域表面设有栅极结构；

其中，所述第一阱和第二阱的掺杂类型不同；所述第一掺杂区、第三掺杂区的掺杂类型相同，且与第二掺杂区掺杂类型不同、所述第一掺杂区与第四掺杂区的掺杂类型相同或不同；所述第一掺杂区单独引出、或当与第四掺杂区掺杂类型相同时与栅极结构一起引出；

所述第一阱为N型阱，所述第二阱为P型阱；所述第一掺杂区和第三掺杂区为P+区，所述第二掺杂区和第四掺杂区为N+区；所述第一掺杂区引出为阳极，所述栅极结构、第二掺杂区以及第三掺杂区一起引出为阴极；

或，所述第一阱为P型阱，所述第二阱为N型阱；所述第一掺杂区和第三掺杂区为N+区，所述第二掺杂区和第四掺杂区为P+区；所述第一掺杂区引出为阴极，所述栅极结构、第二掺杂区以及第三掺杂区引出为阳极；

或，所述第一阱为P型阱，所述第二阱为N型阱；所述第一掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区为N+区，所述第二掺杂区为P+区；所述第一掺杂区和栅极结构引出为阴极，所述第二掺杂区以及第三掺杂区引出为阳极。

2.根据权利要求1所述的半导体静电防护结构，其特征在于，采用隔离结构进行隔离；所述隔离结构为场氧结构或浅槽隔离结构。

3.根据权利要求1～2任一项所述的半导体静电防护结构，其特征在于，所述阴极和所述阳极分别接在I/O端和一个供电电压端之间。

4.一种半导体静电防护结构，包括：

衬底；

第一阱，形成于所述衬底上；

第二阱，形成于所述衬底上，并与所述第一阱相邻设置；

所述第一阱中设有第一掺杂区，所述第二阱中设有第二掺杂区，且所述第一阱和第二阱相邻的位置设有第三掺杂区；所述第一掺杂区、第三掺杂区以及第二掺杂区依次排列，且第一掺杂区与第三掺杂区相互隔离；第二掺杂区和第三掺杂区之间的区域表面设有栅极结构；所述第一掺杂区单独引出；

其中，所述第一阱和第二阱的掺杂类型不同；所述第一掺杂区、第三掺杂区的掺杂类型不相同，所述第二掺杂区、第三掺杂区的掺杂类型相同；

所述第一阱为N型阱，所述第二阱为P型阱；所述第一掺杂区为P+区，所述第二掺杂区和第三掺杂区为N+区；所述第一掺杂区引出为阳极，所述栅极结构和第二掺杂区一起引出为阴极；

或，所述第一阱为P型阱，所述第二阱为N型阱；所述第一掺杂区为N+区，所述第二掺杂区和第三掺杂区为P+区；所述第一掺杂区引出为阴极，所述栅极结构和第二掺杂区一起引出为阳极。

5.根据权利要求4所述的半导体静电防护结构，其特征在于，所述阴极和所述阳极分别接在I/O端和一个供电电压端之间。

6.根据权利要求4～5任一项所述的半导体静电防护结构，其特征在于，所述第一掺杂区与第三掺杂区之间采用隔离结构进行隔离。

7.根据权利要求6所述的半导体静电防护结构，其特征在于，所述隔离结构为场氧结构或浅槽隔离结构。

8.根据权利要求4～5任一项所述的半导体静电防护结构，其特征在于，所述衬底为P型衬底。