[发明专利]发光二极管LED的制备方法及LED

说明书

本发明实施例提供一种发光二极管LED的制备方法及LED。该方法包括：在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、在电流拓展层的表面生长透明绝缘层以及电极；对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；N为大于1的正整数；对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。本发明实施例的方法提高了LED芯片出光率，改善器件的光学性能，具有工艺简单，制作成本低，适用于大规模量产的特点。

技术领域

本发明实施例涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管LED的制备方法及LED。

背景技术

半导体发光二极管被广泛应用于固态照明光源，其绿色节能的特点被普遍关注，其具有发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、体积小可平面封装等优点，特别是以氮化物为基础的蓝色发光二极管的研制成功，使得发光二极管可以实现全色彩发光，并逐步迈向白光照明时代。目前发光二极管在汽车内外灯光、显示器背光、室外景观照明，便携式系统闪光灯、投影仪光源、广告灯箱、电筒、交通灯等领域都有广泛应用。

就发光二极管技术发展而言，目前最重要的课题是如何提高发光二极管的亮度。要提高发光二极管的亮度，就要提高发光二极管的内部量子效率及光取出效率。内部量子效率代表电子转换成光子的效率，其重点在于调整提高发光结构层的晶体质量，目前随着晶体外延生长技术的提高，已经可以将内部量子效率提升至90％甚至更高；而光取出效率则与物理现象有关。根据光的折射原理，光从光密介质射到光疏介质的界面时，光要离开法线折射，当入射角增加到某种情形时，折射线将沿表面进行，即折射角为90度，该入射角称为临界角，若入射角大于临界角，则无折射，全部光线均返回光密介质，此现象就出现了光的全反射。由于制备发光二极管的半导体材料与空气的折射率差值大，导致光的出射角度小且界面反射率高，这样，有源区发出的光只有一部分被提取出来，其余的光则会被反射回半导体材料内部，经过多次反射后被吸收，从而造成光提取效率不高的问题，致使发光二极管的光取出效率低。

因此，如何提高发光二极管的光取出效率，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种发光二极管LED的制备方法及LED，提高了发光二极管的光取出效率。

第一方面，本发明实施例提供一种发光二极管LED的制备方法，包括：

在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、透明绝缘层以及电极；

对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；N为大于1的正整数；

对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。

第二方面，本发明实施例提供一种发光二极管LED，所述LED采用如第一方面中任一项所述的方法制备而成。

本发明实施例提供的发光二极管LED的制备方法及LED，在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、透明绝缘层以及电极；对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；进一步的，对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述电流拓展层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层，实现了通过在电流拓展层上形成具有均匀分布的N个规则的半球结构的钝化光导出层，提高芯片出光率，改善器件的光学性能，具有工艺简单，制作成本低，适用于大规模量产的特点。

附图说明