[发明专利]OLED显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201710527964.5 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109216410A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 林立;敖伟;彭兆基;邢汝博;袁波;金凤杰;田景文;黄秀颀 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司;黑牛食品股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜封装层 锚定结构 凹陷 制备 阴极 抗剪切力 位置偏移 粘附能力 顶电极 功能层 膜层 填充 | ||
本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法。所述OLED显示面板上设置了多个凹陷,使薄膜封装层填充凹陷形成锚定结构,采用该锚定结构有效增强了薄膜封装层和顶电极之间的粘附能力,可提高OLED显示面板的抗剪切力,减少或避免薄膜封装层与阴极之间以及功能层内部各膜层之间出现分离或位置偏移。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来,作为一种新的平板显示器,有机电致发光显示器受到越来越多的关注。有机电致发光显示器的核心部件是有机电致发光器件(OLED,亦称为有机发光二极管)。OLED发光原理是在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED显示面板的特点是轻薄、宽视角、功耗低、响应速度快、可实现柔性显示等。由于其是主动发光型器件,在显示高清晰高速度视频方面被认为具有很大的优势,并且最近几年正朝着实用的方向发展。然而,由于OLED显示面板中起到发光功能的发光层,对水汽和氧气等外部环境因素十分敏感,如果将OLED显示面板暴露在有水汽或者氧气的环境中,会使得器件性能急剧下降或者完全损坏。为了提高OLED的使用寿命和器件的稳定性,需要通过良好的封装来隔绝周围的水汽和氧气。
传统的玻璃盖板或金属盖板封装已经实现较好的效果,但不能完全适用于一些重要或有潜力的应用场合,比如顶发射OLED显示技术、柔性 OLED显示技术或柔性OPV等。为此业界开发了薄膜封装技术,采用一层或多层薄膜阻隔水氧,不遮挡光出射或入射的路径,也不影响衬底的可弯曲性。但发明人研究发现,薄膜封装层与阴极之间的粘附力较弱,尤其是在柔性显示面板弯折过程中,薄膜封装层与阴极之间以及功能层内部各膜层之间甚至出现卷曲、开裂的现象,导致阻隔水氧的能力下降,影响了发光层的性能,进而影响了OLED显示面板的寿命与性能。
发明内容
本发明的目的在于,解决OLED显示面板中薄膜封装层与阴极之间以及功能层内部各膜层之间出现分离或位置偏移的问题。
为了解决上述问题,一方面,提供一种OLED显示面板,包括基板以及形成于所述基板上的底电极、像素定义层、功能层、顶电极和薄膜封装层;所述像素定义层形成有若干像素开口,位于所述像素开口内的底电极、功能层以及顶电极构成像素单元;所述OLED显示面板上还形成有若干凹陷,所述薄膜封装层填充所述凹陷。
可选的,所述凹陷形成于所述像素定义层中,并至少贯穿部分厚度的像素定义层。进一步的,还包括形成于所述基板上的平坦化层,所述底电极形成于所述平坦化层上;所述凹陷贯穿部分厚度或全部厚度的像素定义层,或者,所述凹陷贯穿全部厚度的像素定义层以及部分厚度或全部厚度的平坦化层。
可选的,所述凹陷形成于所述像素定义层上方,且所述凹陷贯穿所述顶电极和功能层。进一步的,还包括形成于所述基板上的平坦化层,所述底电极形成于所述平坦化层上;所述凹陷还贯穿部分厚度或全部厚度的像素定义层,或者,所述凹陷还贯穿全部厚度的像素定义层以及部分厚度或全部厚度的平坦化层。
可选的,所述薄膜封装层包括第一薄膜封装层和第二薄膜封装层,所述第一薄膜封装层和第二薄膜封装层为无机膜层,所述凹陷贯穿所述第一薄膜封装层、顶电极和功能层,所述第二薄膜封装层填充所述凹陷并覆盖所述第一薄膜封装层。进一步的,所述第一薄膜封装层和第二薄膜封装层的厚度比例在1:1~10:1之间。
可选的,所述凹陷为垂直孔。
可选的,所述凹陷靠近基板的一端的截面宽度大于其远离基板的一端的截面宽度。
可选的,所述凹陷靠近基板的一端的截面宽度小于其远离基板的一端的截面宽度。
可选的,至少部分像素定义层与相邻的像素开口内的功能层之间形成有所述凹陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的