[发明专利]一种抗氧化碳化硅系耐火材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710528033.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107311671A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 佘建锋 | 申请（专利权）人： | 长兴泓矿炉料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/66 | 分类号： | C04B35/66;C04B35/565;C04B41/85 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 313117 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 碳化硅 耐火材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗氧化碳化硅系耐火材料，其特征在于：以碳化硅粉为原料成型生坯，2000-2050℃下烧结，生成碳化硅烧结体，在碳化硅烧结体表面包裹了一层致密硅膜层。
2.如权利要求1所述的抗氧化碳化硅系耐火材料，其特征在于，所述的氮化硅系耐火材料由80-95wt%碳化硅、0.5-10wt%游离硅、0-5wt%游离碳、气孔和少量杂质组成。
3.如权利要求1所述的抗氧化碳化硅系耐火材料，其特征在于，所述的硅膜层厚度在2-20μm。
4.如权利要求1所述的抗氧化碳化硅系耐火材料，其特征在于，所述的硅膜层厚度在6-12μm。
5.一种如权利要求1所述的抗氧化碳化硅系耐火材料的制备方法，其特征在于，以碳化硅粉为原料成型生坯，2000-2050℃下烧结，生成碳化硅烧结体，采用物理气相沉积法，在镀膜机中沉积硅膜层。
6.如权利要求5所述的抗氧化碳化硅系耐火材料的制备方法，其特征在于，所述的物理气相沉积法包括真空蒸镀、溅射镀膜、等离子体镀膜和离子镀。
7.如权利要求5所述的抗氧化碳化硅系耐火材料的制备方法，其特征在于，所述的镀膜机为真空离子镀膜机，利用电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化技术沉积硅膜层。
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