[发明专利]DBC基板的制造方法及使用该方法制造的DBC基板

权利要求书

1.一种DBC基板的制造方法，其特征在于，所述DBC基板包括在承烧板(1)上的第一铜片(2)、第一铜片上的陶瓷基材(3)、所述陶瓷基材上的第二铜片(4)，上述DBC基板的制作包括如下步骤：

（1）对第一铜片和第二铜片的表面清洗，使用碱性溶液除油，再用酸性溶液除去表面氧化层；

（2）对所述陶瓷基材的表面使用碱性溶液清洗；

（3）对经过步骤（1）处理的第一铜片和第二铜片与陶瓷基材接触的一面进行氧化处理并形成氧化层；

（4）将经过步骤（3）处理的第一铜片、第二铜片与经过步骤（2）处理的陶瓷基材贴合后放置在承烧板后同时对第一铜片、第二铜片和陶瓷基材进行烧结处理。

2.根据权利要求1所述的DBC基板的制造方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（2）中所述的碱性溶液中氢氧根浓度为0.002mol/L~0.5mol/L，采用喷淋清洗，清洗时间为1min~10min，溶液温度30~60℃。

3.根据权利要求1所述的DBC基板的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述的酸性溶液中氢离子浓度为0.002mol/L~0.5mol/L，采用喷淋清洗，清洗时间为1min~10min，溶液温度30~60℃。

4.根据权利要求1所述的DBC基板的制造方法，其特征在于，步骤（3）中对第一铜片和第二铜片进行氧化的方法为热氧化，温度为300℃~900℃，氧含量为50ppm~1000ppm，氧化时将铜片贴合在氧化用承烧板上，形成只有单面氧化层的铜片。

5.根据权利要求1所述的DBC基板的制造方法，其特征在于，步骤（4）中所述烧结处理为网带烧结炉高温处理，烧结炉高温区温度为1055℃~1075℃，高温区保温时间1min~15min，烧结炉内氧含量为0ppm~200ppm。

6.根据权利要求1所述的DBC基板的制造方法，其特征在于：步骤（4）中所述承烧板的材料为碳化硅或氮化硅或氮化铝陶瓷，厚度为0.5毫米~3毫米。

7.DBC基板，其特征在于：使用权利要求1-6任意所述的DBC基板的制造方法制作而成。

8.根据权利要求7所述的DBC基板，其特征在于：所述DBC基板中的陶瓷基材的厚度≤0.38毫米，第一铜片与第二铜片的厚度≥0.4毫米。