[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶管、包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置。其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极、有源层，还包括辅助电极，所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠，且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内，所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间；所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置，且所述辅助电极包括圆弧结构，所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。本发明能够降低薄膜晶体管的寄生电容，同时能够减少薄膜晶体管的占地面积。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

电泳显示(electrophoresis Display，EPD)通过电子墨水(Electronic Ink，E-ink)的反射进行显示，而电子纸作为一类典型的电泳显示装置，其具有低功耗、超薄、超轻，以及便于阅读的优势。电子纸通过像素电极和公共电极之间的电场控制电子墨水层的电泳粒子移动以实现对外界光线的反射，因此，为了让电泳粒子移动到反射面一侧，需要在像素电极和公共电极之间施加电压差。

目前，能够驱动电泳粒子发生移动的电压差较大，例如，一般地，对于液晶显示装置而言，像素电极与公共电极之间的电压差约为5V；而对于电泳显示装置而言，像素电极与公共电极之间的电压差需要达到约15V。在电泳显示装置中，由于像素电极和公共电极之间的电压差较大，因此，用于驱动显示的薄膜晶体管的漏电流情况非常严重。

为了降低电泳显示装置中薄膜晶体管的漏电流现象，现有技术中采用双沟道结构的薄膜晶体管。如图1所示，图1为现有技术中用于驱动电泳显示装置的一种薄膜晶体管，薄膜晶体管T1包括栅极10、漏极12、源极14以及有源层16，其中，有源层16包括第一有源层16a和第二有源层16b，栅极10包括第一栅极10a和第二栅极10b，第一有源层16a在第一栅极10a的作用下形成第一沟道，第二有源层16b在第二栅极10b的作用下形成第二沟道。需要说明的是，图1所示的薄膜晶体管结构即为双I型沟道。

随着电泳显示技术的发展，人们对高分辨率电泳显示装置的需求越来越多。随着分辨率的提高，对于双I型沟道的薄膜晶体管而言，如果要保持较高的沟道比，则寄生电容Cgs会比较大；此外，当薄膜晶体管应用于电泳显示装置时，双I型沟道的薄膜晶体管的占地面积比较大，不利于在子像素内增加其他的结构以实现更多的功能。沟道比是指沟道的宽度和沟道的长度之比，其中，沟道的长度等于源极和漏极之间的距离。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板以及一中包括该阵列基板的显示装置，以实现高沟道比的同时降低薄膜晶体管的占地面积和寄生电容Cgs，利于实现高分辨率的电泳显示装置。

为实现上述目的，首先，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管：

所述薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极、有源层，其特征在于，还包括辅助电极，所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠，且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内，所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间；所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置，且所述辅助电极包括圆弧结构，所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。

其次，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述薄膜晶体管。

最后，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述阵列基板。