[发明专利]一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种红外偏振焦平面器件结构，其特征在于，包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅；

所述去除半导体衬底的红外焦平面器件中，金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围，形成了由金属微柱组成的矩形圈，且金属微柱为金属Al，金属微柱之间存在有中心距；

所述读出电路上的金属微柱插入到亚波长金属线栅上的铟柱内，且亚波长金属线栅位于去除半导体的红外焦平面的上方，亚波长金属线栅正面向下。

2.根据权利要求1所述的红外偏振焦平面器件结构，其特征在于，所述的亚波长金属线栅中，亚波长金属线栅对中波红外和长波红外波段的光实现偏振，且金属线栅衬底正面的外围有一个具有中心距的铟柱围成的矩形圈，并和金属微柱组成的矩形圈一一对应，铟柱之间的中心距和读出电路上的金属微柱之间的中心距相同。

3.根据权利要求2所述的红外偏振焦平面器件结构，其特征在于，所述铟柱围成的矩形圈为方形圈。

4.一种红外偏振焦平面器件结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤（1），在读出电路衬底外围，形成一个由金属微柱组成的矩形圈；金属微柱矩形圈通过在读出电路衬底上涂覆光刻胶、光刻、显影、金属沉积和剥离实现；

步骤（2），在带有金属微柱的读出电路衬底上制备铟柱，并通过回流使铟柱形成铟球；

步骤（3），将带有半导体衬底的芯片和带有金属微柱的铟球读出电路进行倒装互连，之后进行下填充、背减和腐蚀工艺形成去除半导体衬底的红外焦平面器件；步骤（4），制备带有铟柱矩形圈的亚波长金属线栅；

步骤（5），通过将带有铟柱矩形圈的亚波长金属线栅和去除半导体衬底的红外焦平面器件进行倒装互连，使得读出电路上的金属微柱插入到亚波长金属线栅上的铟柱内，进而形成稳定结构的红外偏振焦平面器件。

5.根据权利要求4所述的红外偏振焦平面器件结构的制备方法，其特征在于，所述铟柱围成的矩形圈为方形圈。