[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个第一柱状有源区和多个第二柱状有源区，其中，

第一柱状有源区排列为第一阵列，第二柱状有源区排列为第二阵列，

每一第一柱状有源区包括源/漏层和沟道层的交替堆叠，各第一柱状有源区中相应的沟道层实质上共面，且相应的源/漏层实质上共面，

每一第二柱状有源区包括一体延伸的有源半导体层，

分别与各沟道层实质上共面的多层第一存储栅堆叠，其中，各层第一存储栅堆叠分别环绕相应沟道层的外周，以及

环绕各第二柱状有源区外周的多层第二存储栅堆叠。

2.一种存储器件，包括：

在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个第一柱状有源区和多个柱状应力施加区，其中，

第一柱状有源区排列为第一阵列，柱状应力施加区排列为第二阵列，

每一第一柱状有源区包括源/漏层和沟道层的交替堆叠，各第一柱状有源区中相应的沟道层实质上共面，且相应的源/漏层实质上共面，

分别与各沟道层实质上共面的多层第一存储栅堆叠，其中，各层第一存储栅堆叠分别环绕相应沟道层的外周。

3.根据权利要求1或2所述的存储器件，其中，第一阵列和第二阵列彼此嵌套。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，各层第二存储栅堆叠与相应层的第一存储栅堆叠包括公共栅导体层，该公共栅导体层与相应沟道层实质上共面。

5.根据权利要求1或2所述的存储器件，其中，各沟道层存在从外周向着中心逐渐减小的掺杂分布。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

第一存储栅堆叠包括依次叠置的第一栅介质层、浮栅层或电荷俘获层、第二栅介质层和栅导体层，

第二存储栅堆叠包括依次叠置的另一第一栅介质层、另一电荷俘获层、另一第二栅介质层，且相同层中的第一存储栅堆叠中的栅导体层同时用作第二存储栅堆叠的栅导体层，

其中，另一第一栅介质层、另一电荷俘获层、另一第二栅介质层绕各第二柱状有源区的外周延伸。

7.根据权利要求2所述的存储器件，其中，第一存储栅堆叠包括依次叠置的第一栅介质层、浮栅层或电荷俘获层、第二栅介质层和栅导体层。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一存储栅堆叠和第二存储栅堆叠中至少之一中包括铁电材料。

9.根据权利要求2所述的存储器件，其中，第一存储栅堆叠包括铁电材料。

10.根据权利要求8所述的存储器件，其中，

第一存储栅堆叠和第二存储栅堆叠中至少之一包括依次叠置的第一导体层、铁电材料层、第二导体层和栅介质层；或者

第一存储栅堆叠包括依次叠置的第一栅介质层、浮栅层或电荷俘获层、第二栅介质层和栅导体层，第二存储栅堆叠包括依次叠置的第一导体层、铁电材料层、第二导体层和栅介质层；或者

第二存储栅堆叠包括依次叠置的第一栅介质层、电荷俘获层、第二栅介质层，第一存储单元的存储栅堆叠包括依次叠置的第一导体层、铁电材料层、第二导体层和栅介质层。

11.根据权利要求9所述的存储器件，其中，第一存储栅堆叠包括依次叠置的第一导体层、铁电材料层、第二导体层和栅介质层。

12.根据权利要求10或11所述的存储器件，其中，铁电材料包括氧化铪、氧化锆、氧化钽、氧化铪锆或氧化铪钽，第一导体层和第二导体层包括TiN。