[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在衬底上形成的第一器件和第二器件，第一器件和第二器件分别包括：

依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；以及

绕沟道层的外周形成的栅堆叠，其中，栅堆叠在靠近沟道层一侧的端部自对准于沟道层，从而该端部的顶面与沟道层的上表面共面，该端部的底面与沟道层的下表面共面，

其中，第一器件的沟道层与第二器件的沟道层共面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第一器件的沟道层的上表面与第二器件的沟道层的上表面共面；和/或

第一器件的沟道层的下表面与第二器件的沟道层的下表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一器件的沟道层的厚度与第二器件的沟道层的厚度不同，或者第一器件的沟道长度与第二器件的沟道长度不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：从栅堆叠中的栅导体层沿着远离沟道层的方向延伸的栅极接触垫，其中，第一器件和第二器件中至少之一的栅导体层和相应的栅极接触垫包括不同的材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，第一器件和第二器件的栅极接触垫包括相同的材料。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，第一器件和第二器件中另一个的栅导体层和相应的栅极接触垫包括相同的材料，且成一体延伸。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体器件，其中，第一器件和第二器件的栅极接触垫彼此电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一器件和第二器件的栅极接触垫彼此直接物理连接。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一器件和第二器件各自的沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沟道层包括沟道层单晶半导体材料。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沟道层靠近第一源/漏层和第二源/漏层的端部具有掺杂分布。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在衬底上形成的隔离层，其中隔离层的顶面处于沟道层的顶面与底面之间。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一源/漏层是在衬底上外延生长的半导体层，沟道层是在第一源/漏层上外延生长的半导体层，第二源/漏层是在沟道层上外延生长的半导体层，源/漏层与沟道层之间具有晶体界面和/或掺杂浓度界面。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沟道层的外周相对于第一、第二源/漏层的外周向内凹入，栅堆叠嵌于沟道层的外周相对于第一、第二源/漏层的外周形成的凹入中。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沟道层的外周相对于第一、第二源/漏层的外周向外凸出。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在第一器件的第一源/漏层和第二源/漏层的表面上设置的第一应力衬层以及在第二器件的第一源/漏层和第二源/漏层的表面上设置的第二应力衬层中至少之一。

17.根据权利要求16中所述的半导体器件，其中，

第一器件是n型器件，且第一应力衬层带压应力；

第二器件是p型器件，且第二应力衬层带拉应力。