[发明专利]电平转换电路

说明书

本发明提供了一种电平转换电路，所述电平转换电路包括：MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11以及MOS管M12。与相关技术相比，本发明提供的电平转换电路具有如下有益效果：解决了负压电平转换过程中的耐压问题；电路转换速度快，功耗低；电路结构简单，面积小，成本低，易于实现与集成。

技术领域

本发明涉及电平转换技术领域，具体涉及一种电平转换电路。

背景技术

现有的电平转换电路，如专利US6483366B2中描述的一种单端的负压电平转换电路结构，由于输出电压跨度大，为了防止器件被击穿，必须使用高压管或者其他辅助电路，这样使得电路面积大，增加成本；而且该电路转换速度低，功耗较高。

再如专利CN 104242909 A记载的一种电平转换电路，为了实现正电压到负电压的转换，该电平转换电路需要通过N阱转换结构的辅助电路来解决器件的耐压问题，增加了电路的复杂度和电路的面积。

因此，有必要提供一种新的电平转换电路来解决上述问题。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种电平转换电路，其电路结构简单、功耗低、电路转换速度快、电路面积小且节约成本。

本发明提供了一种电平转换电路，所述电平转换电路包括：

MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11以及MOS管M12；其中

所述MOS管M1的源极与所述MOS管M2的源极连接并连接电源VDD，栅极与输入端vinn连接，漏极与所述MOS管M3的漏极连接；

所述MOS管M2的源极连接电源VDD，栅极与输入端vinp连接，漏极与所述MOS管M4的漏极连接；

所述MOS管M3的源极与所述MOS管M4的源极连接，栅极与所述MOS管M5的栅极连接；

所述MOS管M4的栅极与所述MOS管M3的漏极连接，源极还与所述MOS管M7的源极连接；

所述MOS管M5的源极与所述MOS管M6的源极连接并连接电源VSS，漏极与所述MOS管M7的漏极连接；

所述MOS管M6的源极还与所述MOS管M9的源极连接并连接电源VSS，栅极与所述MOS管M3的漏极连接，漏极与所述MOS管M8的漏极连接；

所述MOS管M7源极还与所述MOS管M8的源极连接，栅极与所述MOS管M8的漏极连接；

所述MOS管M8的栅极与所述MOS管M7的漏极连接；

所述MOS管M9的源极还与所述MOS管M10的源极连接并连接电源VSS，栅极与所述MOS管M7的漏极连接，漏极与所述MOS管M11的漏极连接；

所述MOS管M10的源极连接电源VSS，栅极与所述MOS管M8的漏极连接，漏极与所述MOS管M12的漏极连接；

所述MOS管M11的源极与所述MOS管M12的源极连接，栅极与所述MOS管M12的漏极连接；

所述MOS管M12的栅极与所述MOS管M11的漏极连接。

优选的，所述MOS管M1、所述MOS管M2、所述MOS管M5、所述MOS管M6、所述MOS管M9、所述MOS管M10均为PMOS管，所述MOS管M3、所述MOS管M4、所述MOS管M7、所述MOS管M8、所述MOS管M11以及所述MOS管M12均为NMOS管。