[发明专利]子带谱减与广义旁瓣抵消的双微阵列语音增强方法在审

专利信息
申请号: 201710531217.9 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN107393547A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 曾庆宁;肖强;王瑶 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G10L21/0216 分类号: G10L21/0216;G10L21/0232;G10L25/21
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 代理人: 周雯
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 子带谱减 广义 抵消 阵列 语音 增强 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及语音信号处理领域,具体涉及一种子带谱减与广义旁瓣抵消的双微阵列语音增强方法。

背景技术

众所周知,各种各样的噪声存在严重影响了语音质量及语音识别系统的识别率,过大的干扰噪声甚至会影响到语音的可懂度。为了抑制噪声的影响提高语音可懂度,噪声消除技术在现代语音通信系统中是至关重要的一个功能。在语音通信系统中噪声消除技术可分为两大类:其一为单通道语音增强,其二为多通道语音增强。

在单通道语音增强方法中,谱减法是最常用的方法之一,谱减法通过从含噪语音功率谱中估计噪声功率谱以获得纯净语音功率谱。

由于传统谱减法的过减因子是固定值以及含噪语音信号的频率特征,导致语音失真或者噪声不能足够的消除。

多通道语音增强可以利用时域与频域信息,而且基于空间信息能够抑制其他方向的噪声干扰的特性利用到了空域信息。广义旁瓣抵消(Generalized Sidelobe Canceller,GSC)在较好抑制强相关噪声的同时也能适当地抑制弱相关性噪声,但是对弱相关性噪声的抑制能力有限。

针对这个问题,各种基于相干滤波(Coherence Filtering,CF)的二元麦克风语音增强方法被提出。这些方法通过在两个麦克风之间使用相干滤波抑制非相干噪声并且能有效地消除音乐噪声,但在现实环境中既存在非相干或弱相干噪声,也存在强相关噪声。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明所解决的技术问题是如何进一步提高噪声抑制性能、减少语音失真及进一步抑制强相关性噪声的影响。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是一种子带谱减与广义旁瓣抵消的双微阵列语音增强方法,对含噪语音的不同频带使用不同的谱减算法消噪,初步消噪后结合广义旁瓣抵消及端点检测的方法抑制强相关性噪声,包括如下步骤:

(1)基于KEMAR人工头构建双微阵列模型。在KEMAR人工头的左耳与右耳分别固定一个麦克风数量为2且麦克风之间的距离为2cm的微型阵。

麦克风接收到的含噪语音信号模型为语音信号叠加背景噪声

yi(n)=si(n)+vi(n)i=12L M

y(n)表示含噪语音信号;s(n)表示纯净语音信号;v(n)表示背景噪声;M为麦克风数量。

上式的短时傅里叶变换为

Yi(u,w)=Si(u,w)+Vi(u,w)i=12L M

u表示帧数;w表示离散频域。

(2)先将每个麦克风接收到的含噪语音信号分成不同的频带,即低频带与高频带,截止频率为fc=c/(2d),其中c为声速,d为微型阵之间的距离。使用127阶的有限长单位冲激响应低通滤波器来获得低频带含噪语音信号,低通滤波器的截止频率为;使用相同阶次与截止频率的有限长单位冲激响应高通滤波器来获得高频带含噪语音信号。

(3)根据后验信噪比获得可变过减因子的值:

αmin表示过减因子的最小值,其值在[0,1]之间;αmax表示过减因子的最大值,其值大于1;γ(u,w)表示后验信噪比;σ是一个正整数用来控制噪声消除;η用来避免当γ(u,w)接近或等于0时过减因子过大。

上式中,

SNRth是一个常量。

过减因子的值依赖于后验信噪比。后验信噪比表达式为:

(4)在低频带采用可变过减因子谱减,抑制噪声的影响:

p为指数,当p=1时采用的是幅度谱谱减,当p=2时采用的是功率谱谱减;α(u,w)为过减因子;β为增益补偿因子以避免减法处理后语音估计值的幅度谱或者功率谱出现负值。

(5)根据前一帧的互功率谱谱减的相干滤波传递函数更新估计互功率谱与自功率谱的平滑因子:λ(u,w)=0.98-0.3H(u-1,w),其中H(u,w)为互功率谱谱减的相干滤波传递函数。

(6)根据平滑因子更新互功率谱与自功率谱

*表示共轭;λ(u,w)表示平滑因子。

(7)使用过高估计噪声自功率谱替代噪声互功率谱,即:

替代以及利用修改后的后验信噪比估计噪声自功率谱:

上式中,

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710531217.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top