[发明专利]电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法

说明书

本发明提供一种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法。电阻式存储单元的设定方法包括：对电阻式存储单元执行第一设定操作，并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作；依据第一验证操作的验证结果以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作，并在决定执行该第一重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行一第二验证操作；以及，依据第二验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作，并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作。

技术领域

本发明涉及一种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法，尤其涉及一种可防止高温数据维持漏失的电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法。

背景技术

在电阻式存储器中，为回复因设定操作中所产生的电阻式存储单元的氧空缺区并提升其切换稳定性，现有技术提出一种利用设定作后无条件进行重置操作的电阻式存储单元的设定机制。然而，这种现有的设定机制，是针对所有进行设定操作的电阻式存储单元，都无条件的执行设定以及重置操作。如此一来，可能产生如图1A以及图1B所示的现有技艺所可能产生的两种设定操作的问题。

在图1A中，对于正常的电阻式存储单元，程度过强的重置操作可能使钛层110中的氧离子OX被大量的推挤到氧空缺区120中，通过氧空缺区120与氧离子OX的复合作用，氧空缺区120与钛层110接触的面积会被窄化，产生高温数据保持漏失的问题。

在图1B中，程度过弱的重置操作则无法使可能氧离子OX被推离氧空缺区110，通过氧空缺区110与氧离子OX的复合作用，氧空缺区120则可能弱化，也会造成高温数据保持漏失的问题。

发明内容

本发明提供多种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法，有效改善其高温数据保存失效的问题。

本发明的电阻式存储单元的设定方法包括：对电阻式存储单元执行第一设定操作，并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作；依据第一验证操作的验证结果以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作，并在决定执行该第一重置操作并执行完成后对该电阻式存储单元执行一第二验证操作；以及，依据第二验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作，并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作。

本发明的另一电阻式存储单元的设定方法包括：对电阻式存储单元执行第一设定操作，并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作；依据第一验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二设定操作，并在决定执行第二设定操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第二验证操作；依据第二验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作，并在决定执行第一重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作；依据第三验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作，并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第四验证操作；以及，依据第四验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第三重置操作。

本发明的电阻式存储器装置包括多个电阻式存储单元、控制器以及电流验证器。电阻式存储单元耦接至源极线以及位元线，控制器耦接至源极线以及位元线，电流验证器则耦接位元线。其中，控制器用以执行上述的电阻式存储单元的设定方法的多个步骤。

基于上述，本发明的电阻式存储单元的设定方法通过在电阻式存储单元执行设定操作后进行验证操作，并依据验证操作的验证结果来判定是否进行后续的重置操作。如此一来，本发明针对不同特性的电阻式存储单元进行设定方法时，可针对选中电阻式存储单元的特性进行适应性的设定动作的调整，可有效降低电阻式存储单元在高温时产生数据漏失的的机率，维持电阻式存储器装置的良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明