[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710532698.5 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN107564939B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 罗志洙 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H10K59/12 分类号: H10K59/12;H10K71/00;H10K59/121
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示装置,包括:

基板;

各自布置在所述基板上的公共电源线、第一漏电极和第二漏电极;

半导体图案层,连接至所述公共电源线和所述第二漏电极;

栅电极,与所述半导体图案层重叠;以及

阳极,连接至所述第二漏电极,

其中所述半导体图案层、所述栅电极和所述第一漏电极均重叠,并且

其中沟道区形成在所述半导体图案层与所述栅电极重叠的区域中,并且所述沟道区与所述第一漏电极完全重叠。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述半导体图案层的一端接触所述第二漏电极,并且所述半导体图案层的另一端接触所述公共电源线。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述公共电源线的一部分、所述第二漏电极和所述半导体图案层是驱动晶体管的部分。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述阳极与所述第一漏电极重叠。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述阳极与所述第一漏电极形成电容器。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二漏电极接触所述半导体图案层和所述阳极。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述公共电源线、所述第一漏电极和所述第二漏电极布置在同一层上。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述栅电极和所述阳极布置在同一层上。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括暴露所述阳极的至少一部分的像素限定层。

10.一种有机发光显示装置,包括:

基板;以及

限定在所述基板上的多个像素,

其中所述像素包括多个子像素,并且

所述子像素包括:

各自布置在所述基板上的公共电源线、第一漏电极和第二漏电极;

半导体图案层,连接至所述公共电源线和所述第二漏电极;

栅电极,与所述半导体图案层重叠;和

阳极,连接至所述第二漏电极,

其中所述半导体图案层、所述栅电极和所述第一漏电极均重叠,并且

其中沟道区形成在所述半导体图案层与所述栅电极重叠的区域中,并且所述沟道区与所述第一漏电极完全重叠。

11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述像素包括四个子像素,并且所述四个子像素分别被配置为发射红色、绿色、蓝色和白色中的一种。

12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述公共电源线、所述第一漏电极和所述第二漏电极布置在同一层上。

13.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述阳极与所述第一漏电极形成电容器。

14.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述栅电极和所述阳极布置在同一层上。

15.一种用于制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:

在基板上形成公共电源线、第一漏电极和第二漏电极;

形成连接至所述公共电源线和所述第二漏电极的半导体图案层;

形成与所述半导体图案层重叠的栅电极;以及

形成连接至所述第二漏电极的阳极,

其中所述半导体图案层、所述栅电极和所述第一漏电极均重叠,并且

其中沟道区形成在所述半导体图案层与所述栅电极重叠的区域中,并且所述沟道区与所述第一漏电极完全重叠。

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