[发明专利]完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及制造方法有效
| 申请号： | 201710533760.2 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216431B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王琼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 完全 隔离 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构，包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环，所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离，其特征在于，所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层，所述埋层和所述扩展层可以先后通过高能注入、然后经由强炉管一起推阱形成，所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。
2.根据权利要求1所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂类型衬底为P型衬底，所述第二掺杂类型埋层为N型埋层，所述第一掺杂类型的扩展层为P型掺杂。
3.根据权利要求2所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述N型埋层的掺杂杂质为磷，所述扩展层的P型掺杂杂质为硼。
4.根据权利要求2所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，扩展层的P型杂质的注入能量范围50～200KeV，注入剂量范围5e12～5e13cm-2。
5.根据权利要求4所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述N型埋层的注入峰值大于扩展层P型杂质注入峰值，N型杂质的注入剂量范围在5e12～5e13cm-2。
6.一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构的制造方法，包括：
提供第一掺杂类型衬底；
在所述第一掺杂类型衬底内通过注入第二类型杂质的方式形成第二掺杂类型埋层；
在所述第二掺杂类型埋层内通过注入第一类型杂质的方式形成扩展层，所述埋层和所述扩展层可以先后通过高能注入、然后经由强炉管一起推阱形成；
在所述第一掺杂类型衬底上外延生长外延层；
在所述外延层上形成主结构和隔离环；所述第二掺杂类型埋层和隔离环一起将主结构隔离。
7.根据权利要求6所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型衬底为P型衬底，所述第二掺杂类型埋层为N型埋层，所述第一掺杂类型的扩展层为P型掺杂。
8.根据权利要求7所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述N型埋层的掺杂杂质为磷，所述扩展层的P型掺杂杂质为硼。
9.根据权利要求7所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，扩展层的P型杂质的注入能量范围50～200KeV，注入剂量范围5e12～5e13cm-2。
10.根据权利要求9所述的完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构的制造方法，其特征在于，所述N型埋层的注入峰值大于扩展层P型杂质注入峰值，N型杂质的注入剂量范围在5e12～5e13cm-2。
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