[发明专利]一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法

权利要求书

1.一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在电磁仿真软件中建立全局坐标系，在该全局坐标系的中心位置建立预设形状大小的口面；

步骤2：在所述全局坐标系中的所述口面上创建局部坐标系，在该局部坐标系中设置该口面的电流密度分布表达方式，所述口面的电流密度分布在所述局部坐标系下的表达方式由电流密度空间分布和电流密度时间分布两种方式组成；

步骤3：选取所述全局坐标系中的任意一个坐标轴作为第一旋转轴，将所述口面绕第一旋转轴旋转，再选取所述局部坐标系中的任意一个坐标轴作为第二旋转轴，然后将该口面绕第二旋转轴旋转完成该口面旋转，最后记录在所述全局坐标系和所述局部坐标系中的旋转角度；

步骤4：计算所述口面在所述旋转角度下的关联所述全局坐标系和所述局部坐标系的旋转矩阵，并通过该旋转矩阵计算出该口面上任意点在所述全局坐标系下和所述局部坐标系下的坐标对应关系，再通过该旋转矩阵计算出步骤2中电流密度分布对应在所述全局坐标系下的电流密度分布的表达方式；

步骤5：在该电磁仿真软件中，将该口面进行空间网格离散处理，并根据在所述全局坐标系下的电流密度分布表达方式生成电流分布表达方式，最终形成斜口面激励源。

2.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述口面的形状为圆形或矩形或三角形。

3.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述口面的形状为正多边形，所述正多边形的边数小于等于32。

4.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述口面的电流密度空间分布在所述局部坐标系下的表达方式是均匀分布、高斯分布、自定义函数分布或外部导入型分布中的任一种。

5.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述口面的电流密度时间分布在所述局部坐标系下的表达方式是余弦波函数、高斯脉冲函数、上升沿函数、下降沿函数、自定义函数或导入型中的任一种。

6.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述口面在所述全局坐标系下旋转角度的范围为0度到360度，包括0度和360度；所述口面在所述局部坐标系下旋转角度的范围为负180度到正180度，包括负180度和正180度。

7.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述网格离散处理是六面体网格离散处理。

8.如权利要求1所述的一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，所述网格离散处理是四面体网格离散处理。