[发明专利]LDMOS的隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710534702.1 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216257B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS的隔离结构的制造方法，包括：
在晶圆表面形成上宽下窄的第一沟槽；
通过淀积向所述第一沟槽内填充氧化硅；
通过刻蚀去除掉第一沟槽内的氧化硅表面的一部分；
通过热氧化在第一沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构，所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于第一沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构；
在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖所述第一沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面；
干法刻蚀所述含氮化合物，将第一沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除，所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；
以所述含氮化合物侧壁残留为掩膜，继续向下刻蚀氧化硅和晶圆形成第二沟槽；
在所述第二沟槽的侧壁和底部形成氧化硅层；
去除所述含氮化合物侧壁残留；
向所述第一沟槽和第二沟槽内填充氧化硅。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度为1微米～2微米。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二沟槽的侧壁和底部形成氧化硅层的步骤是采用热氧化工艺，形成的氧化硅层厚度为1000埃以上。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在晶圆表面形成上宽下窄的第一沟槽的步骤中，形成的第一沟槽的斜面的倾角为60～70度。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过淀积向所述第一沟槽内填充氧化硅的步骤之前还包括对所述第一沟槽进行侧壁氧化的步骤。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在晶圆表面形成上宽下窄的第一沟槽的步骤之前还包括在晶圆表面形成氮化硅层的步骤，所述在晶圆表面形成上宽下窄的第一沟槽的步骤是将所述氮化硅层刻穿形成所述第一沟槽。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在晶圆表面形成上宽下窄的第一沟槽的步骤，和所述干法刻蚀所述含氮化合物的步骤，是采用CHCl3和/或CH2Cl2作为刻蚀剂。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在晶圆表面形成上宽下窄的第一沟槽的步骤，是使用含氟气体刻蚀出所述第一沟槽。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过热氧化在第一沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构的步骤中，氧化温度为800～950摄氏度。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述含氮化合物是氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
