[发明专利]非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器系统的操作方法，所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器，其中，非易失性存储器装置包括多个存储器块，每个存储器块包括多个存储器单元，每个存储器单元具有擦除状态和多个编程状态中的任意一种状态，其中，所述操作方法包括：

从外部装置接收物理擦除命令；以及

响应于接收的物理擦除命令，针对非易失性存储器装置的所述多个存储器块中的至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。

2.根据权利要求1所述的操作方法，

其中，快速擦除状态的阈值电压分布的下界值大于擦除状态的阈值电压分布的上界值，

其中，快速擦除状态的阈值电压分布的上界值小于所述多个编程状态中的最高编程状态的阈值电压分布的上界值。

3.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括：

针对所述至少一个存储器块执行快速编程操作，使得所述至少一个存储器块的第二存储器单元具有快速编程状态，

其中，快速编程状态的阈值电压分布的上界值小于快速擦除状态的阈值电压分布的上界值。

4.根据权利要求3所述的操作方法，

其中，执行快速编程操作的步骤还包括将快速编程电压施加到连接到所述至少一个存储器块的字线。

5.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括：

从外部装置接收写入命令；

响应于接收的写入命令针对第一存储器块执行通常擦除操作，使得第一存储器块的存储器单元具有擦除状态；以及

针对第一存储器块的多个存储器单元执行通常编程操作。

6.根据权利要求5所述的操作方法，

其中，在快速擦除操作中施加到连接到所述至少一个存储器块的字线的第一擦除验证电压高于在通常擦除操作中施加到连接到第一存储器块的字线的第二擦除验证电压。

7.根据权利要求5所述的操作方法，

其中，在快速擦除操作中施加到基底的第一擦除开始电压低于在通常擦除操作中施加到基底的第二擦除开始电压。

8.根据权利要求5所述的操作方法，

其中，快速擦除操作和通常擦除操作中的每个包括多个擦除循环，

其中，快速擦除操作的擦除循环的数量小于通常擦除操作的擦除循环的数量。

9.根据权利要求1所述的操作方法，

其中，所述至少一个存储器块包括共享相同位线的至少两个存储器块。

10.根据权利要求1所述的操作方法，

其中，所述至少一个存储器块包括在垂直于基底的方向上层压的三维存储器结构。

11.一种非易失性存储器系统的操作方法，所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和存储器控制器，非易失性存储器装置包括多个存储器块，存储器控制器控制非易失性存储器装置，所述操作方法包括：

从外部装置接收物理擦除命令；

响应于接收的物理擦除命令针对第一存储器块执行第一擦除操作；

从外部装置接收写入命令；以及

响应于接收的写入命令针对第二存储器块执行与第一擦除操作不同的第二擦除操作。

12.根据权利要求11所述的操作方法，

其中，在完成第一擦除操作之后，第一存储器块的多个存储器单元具有第一阈值电压分布，

在完成第二擦除操作之后，第二存储器块的所有存储器单元具有第二阈值电压分布，

其中，第一阈值电压分布的下界值大于第二阈值电压分布的上界值。

13.根据权利要求12所述的操作方法，在执行第一擦除操作之后，所述操作方法还包括：

针对第一存储器块执行编程操作，

其中，完成了编程操作的所述第一存储器块中的至少一个的多个存储器单元中的每个具有第一阈值电压分布和第三阈值电压分布中的任意一种阈值电压分布，

其中，第三阈值电压分布的下界值大于第二阈值电压分布的上界值。