[发明专利]一种叠层片式陶瓷射频低通滤波器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710536457.8 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN107465395A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 罗洪梁;刘季超;樊应县;李建辉;林亚梅;徐鹏飞;庞岩;王智会 | 申请（专利权）人： | 深圳振华富电子有限公司;中国振华（集团）科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H1/00 | 分类号： | H03H1/00;H03H3/00;H03H7/01;C04B35/622;C04B35/638 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 叠层片式 陶瓷 射频 滤波器 及其 制备 方法 | ||
1.一种叠层片式陶瓷射频低通滤波器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)将陶瓷粉料、有机溶剂、增塑剂、粘结剂和分散剂混合后获得流延浆料；并将所述流延浆料进行球磨和流延处理后形成厚度为5微米～100微米的膜片；其中陶瓷粉料、有机溶剂、增塑剂、粘结剂和分散剂的质量百分比依次为(40～60)wt％、(40～60)wt％、(1.0～4.0)wt％、(4.5～8.5)wt％、(0.09～0.5)wt％；
(2)根据电感与电容之间连接的需要、电感之间连接的需要对所述膜片进行打孔、填孔，再依次进行导体印刷、叠片、压合、等静压处理；
(3)将等静压处理后片式滤波器生瓷片进行排胶和烧结处理；烧结温度为800℃～950℃；
(4)对烧结后的片式滤波器生瓷片依次进行涂银、封端、端头处理后形成叠层片式陶瓷射频低通滤波器。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述陶瓷粉料材料的介质损耗角的正切值小于等于6*10-4，烧结温度小于900℃，介电常数为3～100。
3.如权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述叠层片式陶瓷射频低通滤波器的截止频率越低，所述陶瓷粉料的介电常数越高。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，当需要制备截止频率低于460MHz的叠层片式陶瓷射频低通滤波器时，采用介电常数为20～50的陶瓷粉料；当需要制备截止频率为460～1300MHz的叠层片式陶瓷射频低通滤波器时，采用介电常数为10～20的陶瓷粉料；当需要制备截止频率为1300～3600MHz的叠层片式陶瓷射频低通滤波器时，采用介电常数在6～10的陶瓷粉料；当需要制备截止频率大于3600MHz的叠层片式陶瓷射频低通滤波器时，采用介电常数在6以下的陶瓷粉料。
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