[发明专利]一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法及其装置

权利要求书

1.一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述降低碳基导电膜体积电阻率的方法是对导电膜进行焦耳热处理，即对碳基导电膜施加超出其通常使用电压时导电膜产生高于其通常工作温度的温度来对导电膜本身进行焦耳热处理的过程。

2.一种降低碳基导电膜体积电阻率的处理装置，其特征在于：该装置是实施权利要求1所述的通电焦耳热处理方法的对应装置，装置由可调节稳压电源、导线、夹持电极、电压电流检测装置以及温度监测装置组成。

3.根据权利要求1所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述施加超出其常规使用电压，该电压为0.01～10000V，优选的，电压为5～1000V。

4.根据权利要求1所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述高于导电膜通常工作温度的焦耳热处理温度为50～400℃，优选的，焦耳热处理温度为70～180℃。

5.根据权利要求1所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：对碳基导电膜进行通电焦耳热处理包括如下步骤：a)将需要通电焦耳热处理的碳基导电膜接入焦耳热处理装置；b)：连接电源，施加确定的电压处理温度在权利要求3所述的温度范围内波动或者保持确定的焦耳热处理温度而不断的调整所施加的电压，电压在权利要求2所要求的电压范围内；c)：断开电源，冷却碳基导电膜。

6.根据权利要求5所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：对碳基导电膜进行通电焦耳热处理包括的步骤c)中所述的断开电源，冷却碳基导电膜，对于冷却速度可进行快速冷却，自然冷却和缓慢冷却。

7.根据权利要求2所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的处理装置，其特征在于：所述的可调节稳压电源为直流稳压电源或者交流稳压电源。

8.根据权利要求2所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的处理装置，其特征在于：所述的夹持电极是将电极粘在夹子内侧，将夹子夹在导电膜上即可实现导电膜与电极的良好接触。

9.根据权利要求2所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的处理装置，其特征在于：所述的焦耳热处理装置中的温度监测装置为接触式温度监测装置，如热电偶及其显示装置，或者非接触式温度监测装置，如红外成像仪。