[发明专利]半导体封装结构在审
| 申请号： | 201710536646.5 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107644851A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 林岷臻;周哲雅;陈南诚 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
重分布层结构，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面，其中该重分布层结构包括：金属间介电层和设置于该金属间介电层的第一层级处的第一导电层；
模塑料，覆盖该重分布层结构的该第一表面；
第一半导体晶粒，设置在该重分布层结构的该第二表面上，并且电性耦接至该重分布层结构；以及
多个凸块结构，设置在该重分布层结构的该第二表面上，并且电性耦接至该重分布层结构。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：底部填充层，插入在该重分布层结构的该第二表面和该第一半导体晶粒之间。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二半导体晶粒及电子元件，设置在该模塑料中并且并排布置，以及电性耦接至该重分布层结构。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该电子元件包括：电容、电感、电阻或者他们的组合。
5.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二半导体晶粒包括：射频前端元件，集成无源器件，或者他们的组合。
6.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一导电层具有天线图案，并且俯视时该天线图案与该第一半导体晶粒、该第二半导体晶粒及该电子元件横向隔开。
7.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一导电层具有接地屏蔽图案。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层结构进一步包括：设置于该金属间介电层的第二层级处的第二导电层，其中该第二层级位于该第一层级的下方。
9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一导电层具有天线图案，该第二导电层具有接地屏蔽图案；该重分布层结构进一步包括：第三导电层，设置在该金属间介电层的第三层级处，其中该第三层级位于该第二层级的下方。
10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，该接地屏蔽图案设置在该天线图案的下方，并且俯视时该天线图案，该接地屏蔽图案完合覆盖该第一半导体晶粒的表面，并且该天线图案与该第一半导体晶粒横向隔开。
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