[发明专利]一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备

权利要求书

1.一种金属膜层沉积方法，用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积所述金属膜层，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在所述外延层上沉积金属缓冲层；

步骤S102：向所述靶材加载直流功率，直至在所述外延层上沉积预定厚度的所述金属膜层；

在所述步骤S101之前还包括：在所述外延层上形成待剥离膜层图形；所述待剥离膜层图形底部与所述外延层之间形成切角；

当在所述待剥离膜层图形上沉积所述金属膜层时，在承载所述基片的基台上加载射频功率，所述射频功率能在所述基台上形成负偏压，以使所述金属膜层在所述切角位置断开。

2.根据权利要求1所述的金属膜层沉积方法，其特征在于，所述金属缓冲层的厚度范围为20～30nm。

3.根据权利要求2所述的金属膜层沉积方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度范围为90～110nm。

4.根据权利要求1所述的金属膜层沉积方法，其特征在于，所述金属膜层包括多个，当在所述外延层上沉积第一个所述金属膜层时，执行所述步骤S101；当在所述外延层上沉积第一个所述金属膜层的后续各个所述金属膜层时，执行所述步骤S102。

5.根据权利要求1所述的金属膜层沉积方法，其特征在于，所述金属膜层包括多个，当在所述外延层上沉积第一个所述金属膜层时，依次执行所述步骤S101和所述步骤S102；当在所述外延层上沉积第一个所述金属膜层的后续各个所述金属膜层时，向所述靶材加载所述直流功率。

6.根据权利要求1所述的金属膜层沉积方法，其特征在于，加载到所述基台上的射频功率范围为100～500W。

7.根据权利要求1所述的金属膜层沉积方法，其特征在于，所述外延层采用氮化镓材料。

8.一种金属膜层沉积设备，所述金属膜层沉积设备采用权利要求1-7任一项所述的金属膜层沉积方法沉积所述金属膜层，所述金属膜层沉积设备包括沉积腔室和设置在所述沉积腔室顶部的靶材，其特征在于，还包括射频功率源、直流功率源和第一切换模块，所述射频功率源和所述直流功率源均连接所述第一切换模块，所述第一切换模块连接所述靶材，所述第一切换模块用于在沉积金属缓冲层时，切换为所述射频功率源向所述靶材加载射频功率；在所述金属缓冲层沉积完成后，切换为所述直流功率源向所述靶材加载直流功率；

所述金属膜层沉积设备还包括设置在所述沉积腔室底部的基台和第二射频源，所述第二射频源连接所述基台，用于在待剥离膜层图形上沉积所述金属膜层时向所述基台上加载射频功率。

9.根据权利要求8所述的金属膜层沉积设备，其特征在于，还包括设置在所述沉积腔室底部的基台和第二射频源，所述第二射频源连接所述基台，用于在待剥离膜层图形上沉积所述金属膜层时向所述基台上加载射频功率，以在所述基台上形成负偏压。