[发明专利]半导体设备及其阻抗调节方法

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

多个腔室，

其中，各所述腔室包括被配置为承载基片的基座，至少一个所述腔室设置有阻抗调节电路，所述阻抗调节电路被配置为调节对应腔室的所述基座与接地端之间的阻抗，以使所述多个腔室的所述阻抗保持一致。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述阻抗调节电路包括：第一调节电路和第二调节电路两者中的至少之一，

所述第一调节电路包括可变电容线路，用于将多个所述腔室中偏高的所述阻抗调低；

所述第二调节电路包括可变电阻线路和可变电感线路两者中的至少之一，用于将多个所述腔室中偏低的所述阻抗调高。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述可变电容线路包括可变电容，所述可变电阻线路包括可变电阻，所述可变电感线路包括可变电感。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述可变电容线路包括第一开关，所述可变电阻线路还包括第二开关，所述可变电感线路还包括第三开关。

5.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述第二调节电路包括所述可变电阻线路和所述可变电感线路，且二者并联设置。

6.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述第二调节电路包括所述可变电阻线路和所述可变电感线路，且二者串联设置。

7.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述阻抗调节电路包括所述第一调节电路和所述第二调节电路，且二者并联设置。

8.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述第一调节电路和所述第二调节电路两者中的至少之一的一端连接至第一节点，另一端连接至第二节点，所述第一节点与对应腔室的所述基座相连，所述第二节点接地。

9.根据权利要求8所述的半导体设备，其中，所述第二节点直接接地。

10.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述可变电容的电容值在50pF-1μF的范围内。

11.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述可变电阻的电阻值在100Ω-100KΩ的范围内。

12.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述可变电感的电感值在100μH-2000μH的范围内。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的半导体设备，其中，所述腔室还包括：

腔体，所述基座位于所述腔体内部，所述阻抗调节电路位于所述腔体外部。

14.一种根据权利要求1所述的半导体设备的阻抗调节方法，包括：

调节所述阻抗调节电路的阻抗以调节对应腔室的所述基座与接地端之间的阻抗，以使所述多个腔室的所述阻抗保持一致。