[发明专利]一种NAND FLASH阵列的掉电处理方法

说明书

本发明公开了一种NAND FLASH阵列的掉电处理方法，其实现过程为：首先配置NOR FLASH及NOR FLASH控制器，用于NAND FLASH阵列数据的非易失性存储，且在NOR FLASH中存储有NAND FLASH阵列掉电时的文件信息和非掉电时的文件信息；系统每次上电时，其上电信息通过NOR FLASH控制器存储到NOR FLASH中，且系统读取存储在NOR FLASH中的上次上电操作信息；当上次上电出现异常断电时，系统读取存储在NOR FLASH中的掉电文件信息并加载；当上次上电未出现异常断电时，系统读取存储在NOR FLASH中的非掉电文件信息并加载。本发明的一种NAND FLASH阵列的掉电处理方法与现有技术相比，其整体实现简单、操作方便，实用性强，适用范围广泛，易于推广。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，具体地说是一种可快速定位问题所在的NAND FLASH阵列的掉电处理方法。

背景技术

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。在雷达及航天等领域，对存储设备的容量及读写速率要求非常苛刻，单一的NANDFLASH无法满足要求，因此NAND FLASH阵列显得尤为必要，尤其是掉电后的处理。

由于NOR FLASH的读速度较快，因而可以考虑使用NOR FLASH对NAND FLASH数据进行存储，但NOR FLASH擦除时间过长，如果发生意外掉电，超级电容的电量可能无法保证文件信息写入NOR FLASH，因而如果采用NOR FLASH，该问题亟需解决。基于此，需要一种能够克服所述问题、保证掉电时文件信息的保存以及上电的恢复的方法。

发明内容

本发明的技术任务是针对以上不足之处，提供一种NAND FLASH阵列的掉电处理方法。

一种NAND FLASH阵列的掉电处理方法，其实现过程为：

首先配置NOR FLASH及NOR FLASH控制器，用于NAND FLASH阵列数据的非易失性存储，且在NOR FLASH中存储有NAND FLASH阵列掉电时的文件信息和非掉电时的文件信息；

系统每次上电时，其上电信息通过NOR FLASH控制器存储到NOR FLASH中，且系统读取存储在NOR FLASH中的上次上电操作信息；

当上次上电出现异常断电时，系统读取存储在NOR FLASH中的掉电文件信息并加载；

当上次上电未出现异常断电时，系统读取存储在NOR FLASH中的非掉电文件信息并加载。

所述NOR FLASH中分别配置有正常文件信息存储区、掉电文件信息存储区以及是否掉电标志区，且是否掉电标志区、正常文件信息存储区、掉电文件信息存储区分别处于不同的扇区，保证其可以各自擦除。

所述是否掉电标志区，用于系统检测到异常掉电发生时，通知NOR FLASH控制器，将掉电标志位写入NOR FLASH，且在下次系统上电后，如果掉电标志位显示异常掉电，在系统加载完成后，将该标志位擦除。

所述正常文件信息存储区、掉电文件信息存储区中分别存储有NAND FLASH阵列中的文件的引导信息，通过该引导信息在NAND FLASH阵列中直接获取文件。

所述正常文件信息存储区中包含文件个数及文件信息，所述文件信息包括每个文件的起始逻辑地址、终止逻辑地址、起始NAND FLASH列、终止NAND FLASH列、终止PAGE，上述文件为NAND FLASH阵列中的文件。

所述掉电文件信息存储区中包含文件个数及文件信息，所述文件信息包括每个文件的起始逻辑地址、终止逻辑地址、起始NAND FLASH列、终止NAND FLASH列、终止PAGE，上述文件为NAND FLASH阵列中的文件。