[发明专利]基于三重移相的单相双有源桥式直流变换器的软启控制方法

权利要求书

1.基于三重移相的单相双有源桥式直流变换器的软启控制方法，其特征在于，包括：

在直流变换器处于对二次侧电容充电的工况下，通过在充电过程中控制V₁侧H桥电路的内移相比指令D₁的大小，使得在充电过程中电感电流没有偏置；其中，单相双有源桥式直流变换器由一个单相高频变压器和两个H桥电路构成；三重移相包含三个控制变量，即两个内移相比和一个外移相比，内移相比是指在一个开关周期T_s内，H桥电路输出的相电压函数v_ab(t)或v_cd(t)为1或-1的时间占整个开关周期的比例，即占空比，占空比小于或等于1；相电压函数的值为1代表该相输出正电平，其值为0代表该相输出0电平，值为-1代表该相输出负电平；v_ab(t)代表V₁侧H桥输出的相电压函数，v_cd(t)代表V₂侧H桥输出的相电压函数，外移相比代表两个H桥输出基波间的移相比；

其中，软启过程的具体控制方法为：

以充电开始时刻为0时刻，在充电初始时刻，引入暂态移相比D_1Δ，即对V₁侧H桥施加脉冲使相电压函数v_ab(t)为1或-1；经过(D_1ΔT_s/2)后，改变H桥的开关管导通顺序，使相电压函数v_ab(t)为0；在T_s/2时刻，V₁侧内移相比指令恢复到D₁，进一步改变H桥的开关管导通顺序，使相电压函数v_ab(t)为-1或1；经过(D₁T_s/2)后，改变H桥的开关管导通顺序，使相电压函数v_ab(t)为0；在T_s时刻，进一步改变H桥的开关管导通顺序，使相电压函数v_ab(t)为1或-1，即在半个开关周期内引入暂态移相比D_1Δ，之后立刻恢复移相比指令D₁；D₁代表V₁侧的H桥电路的内移相比，其约束关系式需要满足式(1)；

其中，I_max为使直流变换器正常工作电流的最大值，U₁为V₁侧的H桥电路的输入电源电压。

2.根据权利要求1所述的基于三重移相的单相双有源桥式直流变换器的软启控制方法，其特征在于，在起始时刻V₁侧的暂态移相比的表达式为：