[发明专利]双面OLED显示器在审
申请号: | 201710539585.8 | 申请日: | 2017-07-04 |
公开(公告)号: | CN107564940A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 聂诚磊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 oled 显示器 | ||
1.一种双面OLED显示器,其特征在于,包括呈矩阵式排布的多个像素(P),每一像素(P)均包括依次排列多个子像素(SP),每一子像素(SP)均包括一OLED;
将一行像素(P)或一列像素(P)定义为一个显示区域(A),对于相邻的两个显示区域(A),其中一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D),另一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
2.如权利要求1所述的双面OLED显示器,其特征在于,奇数行像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D),偶数行像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
3.如权利要求1所述的双面OLED显示器,其特征在于,偶数行像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D),奇数行像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
4.如权利要求1所述的双面OLED显示器,其特征在于,奇数列像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D),偶数列像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
5.如权利要求1所述的双面OLED显示器,其特征在于,偶数列像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D),奇数列像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
6.如权利要求2至5任一项所述的双面OLED显示器,其特征在于,所述顶发光型OLED(D)包括第一阳极(51)、设在所述第一阳极(51)上的第一OLED发光层(52)、及覆盖所述第一OLED发光层(52)的透明阴极(53);
所述底发光型OLED(D’)包括第二阳极(54)、设在所述第二阳极(54)上的第二OLED发光层(55)、及覆盖所述第二OLED发光层(55)的不透明阴极(56)。
7.如权利要求6所述的双面OLED显示器,其特征在于,所述透明阴极(53)还覆盖所述不透明阴极(56)。
8.如权利要求6所述的双面OLED显示器,其特征在于,还包括TFT背板(1)、设在所述TFT背板(1)上的像素定义层(2)、及贴附在所述TFT背板(1)底面的偏光片(3);
所述像素定义层(2)具有第一像素定义孔(21)、及第二像素定义孔(22),所述顶发光型OLED(D)被所述第一像素定义孔(21)容纳并设在所述TFT背板(1)上,所述底发光型OLED(D’)被所述第二像素定义孔(22)容纳并设在所述TFT背板(1)上;所述TFT背板(1)对应于所述第二OLED发光层(55)的区域透明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的