[发明专利]一种微处理器用高导热耐候封装材料及其制备方法

权利要求书

1.一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，包括以下重量份的原料：

不饱和聚酯树脂50-60份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物12-18份、纳米氧化物5-7份、乙二醇4-8份、硅油10-14份、阻燃添加剂10-14份、增效助剂8-10份、氮化硼1-3份、碳化硅4-6份、石墨烯6-8份、偶联剂3-5份。

2.根据权利要求1所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，所述微处理器用高导热耐候封装材料包括以下重量份的原料：

不饱和聚酯树脂55份、乙烯-甲基丙烯酸共聚物15份、纳米氧化物6份、乙二醇6份、硅油12份、阻燃添加剂12份、增效助剂9份、氮化硼2份、碳化硅5份、石墨烯7份、偶联剂4份。

3.根据权利要求1或2所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，所述纳米氧化物为二氧化钛、二氧化锆、氧化硅按照重量比2:2:1的比例组成的混合物，所述纳米氧化物的粒径小于50纳米。

4.根据权利要求1或2所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，所述阻燃添加剂为，所述阻燃剂为有机阻燃剂、无机阻燃剂按照重量比1:2组成的混合物，有机阻燃剂包括基于磷或三聚氰胺的阻燃剂，无机阻燃剂包括基于无机化合物的阻燃剂。

5.根据权利要求1或2所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，所述增效助剂为增塑剂、耐候助剂、交联剂按照重量比2:1:2组成的混合物，所述增塑剂为聚酯己二酸，所述耐候助剂为硫代二丙酸二月桂酯，所述交联剂为异氰脲酸三缩水甘油酯。

6.根据权利要求1或2所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，所述石墨烯为铂掺杂石墨烯，直径为5-10nm。

7.根据权利要求1或2所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料，其特征在于，所述偶联剂为硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂中的一种。

8.一种制备如权利要求1或2所述的微处理器用高导热耐候封装材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，按照要求称量各组分原料；

步骤二，将阻燃添加剂、增效助剂、乙二醇、硅油共同在50-60℃的水浴中搅拌20-30min，搅拌转速200-300r/min，得混合物A；

步骤二，将偶联剂、纳米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入搅拌机中在搅拌转速为150-200r/min下搅拌15-25分钟，得到混合物B；

步骤三，将不饱和聚酯树脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步骤二制得的混合物A、步骤三制得的混合物B加入高速搅拌机，在温度为70-80℃、搅拌转速为300-400r/min下，搅拌1-2小时，自然冷却后得到发明的微处理器用高导热耐候封装材料。

9.根据权利要求8所述的一种微处理器用高导热耐候封装材料的制备方法，其特征在于，所述制备步骤为：

步骤一，按照要求称量各组分原料；

步骤二，将阻燃添加剂、增效助剂、乙二醇、硅油共同在55℃的水浴中搅拌25min，搅拌转速250r/min，得混合物A；

步骤二，将偶联剂、纳米氧化物、氮化硼、碳化硅、石墨烯加入搅拌机中在搅拌转速为180r/min下搅拌20分钟，得到混合物B；

步骤三，将不饱和聚酯树脂5、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、步骤二制得的混合物A、步骤三制得的混合物B加入高速搅拌机，在温度为75℃、搅拌转速为350r/min下，搅拌1.5小时，自然冷却后得到发明的微处理器用高导热耐候封装材料。