[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

说明书

一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。因此，可以避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触，且半导体器件的耐压表现和长期可靠性会得到进一步的提升。

技术领域

本发明实施例总体上涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件(也可称为半导体元件、部件、装置，等等)可以包括碳化硅(siliconcarbide)基板(或称为衬底)、至少部分地被配置在该碳化硅基板的主表面上的无机钝化结构以及与该无机钝化结构相邻配置的模具材料层。

因而，通过使用无机钝化结构来保护该碳化硅基板的主表面，可以降低与该模具材料层直接接触的电场，并且可避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触。这样，半导体器件的耐压表现(breakdown behavior)和长期可靠性会得到进一步的提升。

本节的内容引入了多个方面，这些方面是为了对本发明实施例更好地理解。因此，应在此方面阅读本节的陈述，且不应理解为是对哪些是现有技术或哪些不是现有技术的认可。

发明内容

然而，发明人发现，仅有碳化硅基板的主表面由无机钝化结构所覆盖，碳化硅基板的一个或多个侧壁并不受到保护，而且并不能够避免碳化硅基板的侧壁与吸水性材料的接触。因此，半导体器件的耐压表现和长期可靠性需要得到进一步的提升。

为了至少解决上述这些问题中的一部分，本发明实施例提供方法、装置和器件。结合附图阅读下面对具体实施例的描述就会理解本发明实施例的特征和优点，这些具体实施例通过实例描述了本发明实施例的原理。

总体上来讲，本发明实施例提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种半导体器件。该半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，该保护膜至少部分地覆盖该碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。

在一个实施例中，该半导体器件还包括模具材料层，该模具材料层覆盖该保护膜和/或该碳化硅基板的一部分。

在一个实施例中，该保护膜包括至少三层。

在一个实施例中，该保护膜中配置有至少包括氮氧化硅的中间层，和/或，至少包括金属氮化物的外层。

在一个实施例中，该保护膜包括：氧化硅层，该氧化硅层与该碳化硅基板接触；氮氧化硅层，该氮氧化硅层覆盖该氧化硅层；以及氮化硅层，该氮化硅层覆盖该氮氧化硅层。

在一个实施例中，该保护膜包括：氧化硅层，该氧化硅层与该碳化硅基板接触；氮氧化硅层，该氮氧化硅层覆盖该氧化硅层；以及氮化铝层，该氮化铝层覆盖该氮氧化硅层。

在一个实施例中，该保护膜包括：氧化硅层，该氧化硅层与该碳化硅基板接触；氮氧化硅层，该氮氧化硅层覆盖该氧化硅层；氮氧化铝层，该氮氧化铝层覆盖该氮氧化硅层；以及氮化铝层，该氮化铝层覆盖该氮氧化铝层。

在一个实施例中，该保护膜至少包括一个不连续区域；其中，该碳化硅基板的主表面在该不连续区域内不被该保护膜覆盖。

在一个实施例中，在该不连续区域内的该碳化硅基板的主表面与该保护膜的面对齐。

在一个实施例中，在该不连续区域内的该碳化硅基板的主表面高于该保护膜的面。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：设置碳化硅部件；在该碳化硅部件上制造一个或多个沟槽，以形成一个或多个碳化硅基板；在该一个或多个沟槽内设置保护膜；以及将该保护膜分割以形成一个或多个半导体器件；其中，该保护膜至少部分地覆盖该碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。