[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710540888.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107591319B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 青山敬幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，该制造方法在硅的基板上隔着界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜，其特征在于，该制造方法包括：
第一成膜工序，在上述基板的表面隔着二氧化硅的界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜；
第二成膜工序，在上述高介电常数栅极绝缘膜上形成含有氟的膜；以及
热处理工序，对上述基板实施100毫秒以下的加热处理，将氮的扩散抑制在上述高介电常数栅极绝缘膜，并使氟向上述高介电常数栅极绝缘膜及上述界面层膜扩散。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述第二成膜工序中形成的膜为金属栅极电极。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
上述金属栅极电极含有TiN或TaN或AlN。
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
上述金属栅极电极中的氟的含量为0.1at％以上10at％以下。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述热处理工序中，从闪光灯向上述基板的表面照射闪光。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述热处理工序中，从氢气、氨气、三氟化氮、氟气中选择的一种气体环境下进行上述基板的加热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
