[发明专利]一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法在审
| 申请号： | 201710541987.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109217106A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张晶;孙春明;祝子翔;乔忠良;高欣;薄报学;李辉;王宪涛;魏志鹏;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光振荡 光反馈系统 多周期 振荡 腔面 载流子 超辐射发光二极管 外延生长工艺 制备工艺领域 传统激光器 发光稳定性 光电子器件 后期制作 结构基础 结构器件 局部结构 模式竞争 器件功率 大电流 法布里 高能级 光激射 能力强 钳制 光谱 老化 引入 | ||
1.一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制SLD器件F-P激射的方法，其特征在于，其包括如下步骤：
1)在脊形台面上利用纳米压印和ICP干法刻蚀制技术备出图2中所示的四组分别对应波长1520nm、1540nm、1560nm、1580nm的光栅，四组光栅周期分别为231.70nm、234.75nm、237.80nm和240.85nm，纳米洞直径均为80nm。
2)上述纳米洞穿过上限制层并在上波导层中间处截止，在外延片上快速蒸镀SiO2，且在纳米洞的中上部细窄处形成如图3所示的纳米洞微腔结构，形成折射率在2以上的光子晶体结构。
2.如权利要求1所述的采用多周期表面DFB光反馈系统抑制SLD器件F-P激射的方法，其特征在于，在所述步骤1)中对图2所标示的不同光栅周期纳米洞的制备前在清洗过的外延片表面上蒸镀10nm Ni作为保护层，保护P面欧姆接触层，同时增加热固化树脂胶的浸润性。
3.如权利要求1所述的采用多周期表面DFB光反馈系统抑制SLD器件F-P激射的方法，其特征在于，在所述步骤1)中对图2所标示的不同光栅周期纳米洞的制备，采用ICP干法刻蚀，需要低速间断式刻蚀技术并且严格控制刻蚀温度，在刻蚀时腔体温度变化不能超过2℃。
4.如权利要求1所述的采用多周期表面DFB光反馈系统抑制SLD器件F-P激射的方法，其特征在于，在所述步骤2)，对图3中的SiO2塞的制备需要采用高速率蒸发技术蒸镀SiO2膜，并利用lift-off工艺去除上表面剩余热固化树脂膜和保护膜，即利用UV-O3设备高温烧除剩余热固化树脂膜，稀HCl溶液浸泡去除Ni保护膜，然后依次在丙酮溶液中超声、乙醇溶液中超声、去离子水冲洗，氮气吹干。
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