[发明专利]金属纳米颗粒及其制备方法、QLED器件有效
| 申请号： | 201710542113.8 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109202059B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;H01L51/50;H01L51/54;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属纳米颗粒 种子溶液 硫醇 配体 分散处理 制备 卤化 三卤代乙酸 惰性氛围 搅拌反应 淬灭剂 混合液 季铵盐 萃取剂 钝化 配置 | ||
1.一种金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供金属纳米颗粒种子，配置成金属纳米颗粒种子溶液；
将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后，加入硫醇混合反应，然后采用萃取剂从混合液中离心分离，得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子，分散处理后形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液；
在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸，在惰性氛围下搅拌反应，反应结束后加入淬灭剂，得到卤素钝化的金属纳米颗粒。
2.如权利要求1所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述卤化季铵盐为烃基碳原子数为1-8的卤化季铵盐；和/或
所述三卤代乙酸为三氟乙酸、三氯乙酸、三溴乙酸、三碘乙酸中的至少一种。
3.如权利要求1所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述卤化季铵盐和所述三卤代乙酸的摩尔比为5:1～5:4。
4.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述硫醇为含有一个巯基的硫醇，且所述硫醇的碳原子数为6～20。
5.如权利要求4所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述硫醇为八硫醇、十二硫醇、十四硫醇、1-壬硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇中的至少一种。
6.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述硫醇的添加量满足：所述金属纳米颗粒种子的质量与所述硫醇的摩尔用量之比为100mg:(0.1-1)mmol。
7.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述淬灭剂为三乙胺、二丙胺、三丁胺、三戊胺中的至少一种。
8.如权利要求1-3任一所述的金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒种子包括金纳米颗粒、银纳米颗粒或铜纳米颗粒。
9.一种金属纳米颗粒，其特征在于，所述金属纳米颗粒由权利要求1-8任一所述方法制备获得。
10.一种QLED器件，其特征在于，包含电荷传输层，且所述电荷传输层由权利要求1-8任一所述方法制备获得的金属纳米颗粒制成。
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