[发明专利]一种脊波导激光器电极接触窗口的制作方法

权利要求书

1.一种脊波导激光器电极接触窗口的制作方法，其特征在于，包括：

对晶元上沉积的波导层进行刻蚀，形成脊波导结构以及所述脊波导结构两侧的结构，所述脊波导结构两侧的结构包括沟槽结构和预留结构；

在所述脊波导结构和所述脊波导结构两侧的结构表面沉积电介质层；

在所述电介质层的表面涂覆光刻胶；

利用掩膜板对所述光刻胶进行光刻，将所述电介质层表面上覆盖所述脊波导结构的光刻胶去除；

对所述电介质层表面未去除的光刻胶进行热处理，令覆盖所述预留区域的光刻胶发生形变，并沿朝向所述沟槽结构的方向进行热迁移；以及令填充在所述沟槽结构内的光刻胶发生形变，并沿朝向所述沟槽结构底部的方向进行热迁移，使所述沟槽结构的侧壁上方和底部覆盖的光刻胶厚度增加；

以所述光刻胶为掩膜对所述电介质层进行刻蚀，将覆盖在所述脊波导结构表面的电介质去除，形成电极接触窗口。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脊波导结构两侧的结构包括沟槽结构和预留结构，其中，所述沟槽结构位于所述脊波导结构和所述预留结构之间，所述沟槽结构包括两个侧壁，其中一个侧壁与所述脊波导结构连接，另一个侧壁与所述预留结构连接。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用掩膜板对所述光刻胶进行光刻，包括：

对至少覆盖所述脊波导结构的光刻胶区域进行曝光和显影；

其中，所述至少覆盖所述脊波导结构的光刻胶区域，包括覆盖所述脊波导结构的光刻胶区域，以及填充在所述沟槽结构内且邻近所述脊波导结构的光刻胶区域。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述电介质层的表面涂覆光刻胶之前，还包括：

在所述电介质层的表面蒸涂底胶，所述底胶的极性兼具亲水性和亲油性。

5.如权利要求2至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述电介质层的表面涂覆光刻胶，包括：

采用匀胶机在所述电介质层的表面旋涂光刻胶；

调整所述匀胶机的转速，控制所述光刻胶的旋涂厚度，所述光刻胶的旋涂厚度至少将所述沟槽结构填平。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的旋涂厚度至少为1μm。

7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述利用掩膜板对所述光刻胶进行光刻之前，还包括：

对所述电介质层表面的光刻胶进行前烘处理，以增加所述光刻胶的黏附力。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成电极接触窗口之后，还包括：

去除所述电介质层表面未去除的光刻胶；

在所述电极接触窗口的表面生长金属电极。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层为二氧化硅。