[发明专利]一种实现N+单面扩散的结构及其方法在审
| 申请号： | 201710543091.7 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107240547A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 潘建英;沈怡东;王成森;沈广宇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 单面 扩散 结构 及其 方法 | ||
1.一种实现N+单面扩散的结构，其特征在于：它包扩两片直径相同的硅单晶片（1）和SIO2乳胶（2），所述硅单晶片（1）的一侧设有N+扩散层（4），所述硅单晶片（1）的另一侧设有N-保留原始单晶层（3），两片相同直径的硅单晶片（1）通过SIO2乳胶（2）粘接。
2.根据权利要求1所述的一种实现N+单面扩散的方法，其特征在于，包括以下步骤：两片相同直径的硅单晶片（1）通过SIO2乳胶（2）粘接，用于粘接的SIO2乳胶（2）均匀的涂抹于硅单晶片（1）边沿3-6mm圆环区域内，将已粘接完成的各硅单晶片（1）平放叠加装石英舟；将石英舟进行氧化处理加固使两片直径相同的硅单晶片（1）的其中一面紧密粘接在一起，再将硅单晶片（1）装片，进行磷预扩扩散，通过磷预扩在N型硅单晶片（1）的正、背面扩散入一层N+杂质；然后将硅单晶片（1）装片，进行磷再扩扩散，通过磷再扩将已扩散入硅单晶片（1）的N+杂质通过高温进一步扩散，最后将磷再扩完成的硅单晶片用氢氟酸溶液进行浸泡，直到硅单晶片全部分开，用去离子水冲洗后烘干。
3.根据权利要求2所述的一种实现N+单面扩散的方法，其特征在于：所述硅单晶片（1）的直径为4英寸、5英寸、6英寸或8英寸。
4.根据权利要求2所述的一种实现N+单面扩散的方法，其特征在于：所述硅单晶片（1）为N型，其片厚为200-500μm，所述N+扩散层（4）其单面扩散结深为100-450μm，所述N-保留原始单晶层（3）其厚度为50-250μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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