[发明专利]一种膜层退火设备及退火方法有效
申请号: | 201710543723.X | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN107293511B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 王明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 退火 设备 方法 | ||
1.一种膜层退火设备,其特征在于,包括:
承载台,用于承载形成有半导体膜层的基板;
多个加热器,用于对所述半导体膜层各区域进行分别加热;
载流子检测装置,用于检测所述半导体膜层各区域的载流子浓度;
控制装置,所述控制装置分别与所述载流子检测装置和每个所述加热器连接,所述控制装置根据所述载流子检测装置所检测的所述半导体膜层各区域的载流子浓度,调整所述加热器对所述半导体膜层中对应区域进行加热的加热温度,使所述半导体膜层各区域的载流子浓度相同。
2.根据权利要求1所述的膜层退火设备,其特征在于,所述载流子检测装置的数量为多个,多个所述载流子检测装置位于所述承载台上方,每个所述载流子检测装置检测所述半导体膜层的对应区域的载流子浓度。
3.根据权利要求1所述的膜层退火设备,其特征在于,所述载流子检测装置的数量为多个,多个所述载流子检测装置平行排列成一排,该排载流子检测装置位于所述承载台上方,该排载流子检测装置中所述载流子检测装置的排列方向平行于所述基板的其中一个侧面,且该排载流子检测装置可沿垂直于该排载流子检测装置中所述载流子检测装置的排列方向的方向水平移动;
该排载流子检测装置沿垂直于该排载流子检测装置中所述载流子检测装置的排列方向的方向水平移动时,每个所述载流子检测装置检测该载流子检测装置扫描到的所述半导体膜层的区域的载流子浓度。
4.根据权利要求1所述的膜层退火设备,其特征在于,所述载流子检测装置的数量为一个,该所述载流子检测装置位于所述承载台上方,该所述载流子检测装置可沿平行于所述基板的第一侧面的方向和平行于所述基板的第二侧面的方向水平移动,所述基板的第一侧面与所述基板的第二侧面垂直;该载流子检测装置交替沿平行于所述基板的第一侧面的方向和平行于所述基板的第二侧面的方向水平移动时,该载流子监测装置检测所述半导体膜层各区域的载流子浓度。
5.根据权利要求1所述的膜层退火设备,其特征在于,所述载流子检测装置采用微波光电导衰退法检测所述半导体膜层各区域的载流子浓度。
6.根据权利要求1所述的膜层退火设备,其特征在于,所述控制装置包括第一接收模块、第一判断模块和第一调整模块,其中,
所述第一接收模块与所述载流子检测装置连接,所述第一接收模块用于接收所述载流子检测装置所检测到的所述半导体膜层各区域的载流子浓度;
所述第一判断模块与所述第一接收模块连接,所述第一判断模块用于将所述半导体膜层各区域的载流子浓度与浓度阈值对比;
所述第一调整模块分别与所述第一判断模块连接和每个所述加热器连接,所述第一调整模块用于在所述半导体膜层的某区域的载流子浓度小于所述浓度阈值时,增加对应于所述半导体膜层中载流子浓度小于所述浓度阈值的区域的所述加热器对该区域进行加热的加热温度,使该区域的载流子浓度与所述浓度阈值相同;所述第一调整模块还用于在所述半导体膜层的某区域的载流子浓度大于所述浓度阈值时,降低对应于所述半导体膜层中载流子浓度大于所述浓度阈值的区域的所述加热器对该区域进行加热的加热温度,使该区域的载流子浓度与所述浓度阈值相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造