[发明专利]一种薄膜电路通孔金属化镀膜方法有效

专利信息
申请号: 201710544398.9 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107419230B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 孙毅;许延峰;王进;马子腾 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/18
代理公司: 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 代理人: 肖峰
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 电路 金属化 镀膜 方法
【说明书】:

发明提供了一种薄膜电路通孔金属化镀膜方法,采用磁控溅射真空镀膜技术实现陶瓷电路通孔金属化镀膜,此种镀膜技术最大优点是对被沉积材料没有限制,只要能制成靶材,就可以实现镀膜;另外还具有成膜设备简单、重复性好、膜层牢固、适合于图形复杂尤其是带孔基板的金属化沉积等特点。采用先背面贴高温胶带,再正面金属镀膜的方法,避免溅射时,因靶材原子绕射而导致的膜层不良问题,另外采用高温胶带保护背面基片不受污染,具有操作简单、成本低、与基片贴合力好等优点。解决由于溅射镀膜设备和基板硬件问题,导致在实际操作中孔周围发生绕射现象,溅射膜层不牢的难题。

技术领域

本发明涉及薄膜电路领域,具体涉及一种薄膜电路通孔金属化镀膜方法。

背景技术

微波毫米波测试仪器中大量应用小型化和高度集成化的薄膜集成电路。薄膜混合集成电路基板集成度不断提高,导致微波陶瓷、人造蓝宝石、石英、氮化铝等硬介质基片通孔金属化技术逐渐成为研究热点。

由于陶瓷本身的化学特性较为稳定,有机电路板中应用较为成熟的粗化、敏化、活化通孔金属化工艺对于陶瓷的通孔金属化完全不起作用。薄膜电路通常是先通过磁控溅射镀膜的方法实现金属化(一般先对陶瓷通孔正面进行溅射镀膜,然后反面溅射镀膜),再通过光刻减法工艺实现最终图形。

实际加工过程中,在进行正面溅射镀膜时,会有部分靶材原子绕射到陶瓷通孔背面并在孔周围形成一圈薄薄的金属膜,由于绕射原子能量低,属于不良溅射,与陶瓷间的附着力差。当对陶瓷基片背面进行金属化成膜时,新溅射的膜层会沉积在附着性不好的绕射膜层上,造成陶瓷通孔背面膜层不牢,影响金属化通孔的可靠性。因此需要寻找一种能够有效避免溅射绕射的工艺方法,以提高陶瓷通孔金属化膜层牢度,保证通孔薄膜电路的可靠性。

随着薄膜混合集成电路基板集成度不断提高,对硬介质基片通孔金属化技术提出了更高的要求。因此寻找一种提高金属化通孔可靠性,防止孔周围不良溅射膜层脱落,成为薄膜电路溅射工艺亟需解决的问题。

发明内容

针对现有的薄膜电路基板通孔周围不良溅射膜层易脱落,导致膜层不牢的问题,本发明提供了一种薄膜电路通孔金属化的镀膜方法,解决由于溅射镀膜设备和基板硬件问题,导致在实际操作中孔周围发生绕射现象,溅射膜层不牢的难题。

本发明采用以下的技术方案:

一种薄膜电路通孔金属化镀膜方法,包括以下步骤:

步骤1:提供一片所需种类尺寸的薄膜电路基板,使用激光打孔机对薄膜电路基板进行通孔处理;

步骤2:采用有机溶剂和去离子水进行超声清洗,去除薄膜电路基板及通孔内的污物;

步骤3:在清洗好的薄膜电路基板背面粘贴聚酰亚胺高温胶带;

步骤4:采用磁控溅射的方法对薄膜电路基板正面进行金属化镀膜;

步骤5:去除薄膜电路基板背面的聚酰亚胺高温胶带,之后用有机溶剂和去离子水对薄膜电路基板背面进行超声清洗,去除薄膜电路基板背面的污物;

步骤6:在清洗好的薄膜电路基板的正面粘贴聚酰亚胺高温胶带;

步骤7:采用磁控溅射的方法对薄膜电路基板的背面进行金属化镀膜。

优选地,所述薄膜电路基板采用材料为纯度99.6%以上的氧化铝基片或纯度98%的氮化铝基片或石英基片,基片的厚度为0.1mm至0.65mm。

优选地,步骤2和步骤5中超声清洗的步骤为:

步骤1:将薄膜电路基板放入铬酸洗液中浸泡12小时;

步骤2:用超声波清洗机去除薄膜电路基板表面以及通孔内残留的颗粒物杂质;

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