[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201710545598.6 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107611086A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓;北村宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 于靖帅,乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：
晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；
透明基板加工工序，在透明基板的背面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；
一体化工序，在实施了该透明基板加工工序之后，将该透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片；以及
分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
在该透明基板加工工序中形成的所述凹坑的截面形状为三角形、四边形和圆形中的任意形状。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
在该透明基板加工工序中，通过蚀刻、喷沙和激光中的任意方式来形成所述凹坑。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制造方法，其中，
该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石和透明树脂中的任意材料形成，在该一体化工序中使用透明粘接剂将该透明基板粘贴在该晶片上。
5.一种发光二极管芯片，其中，
该发光二极管芯片具有：
发光二极管，其在正面上形成有LED电路；以及
透明部件，其粘贴在该发光二极管的背面上，
在该透明部件的与该发光二极管的粘贴面的相反侧的面上形成有凹坑。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710545598.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
