[发明专利]一种高导热效率石墨复合片的制作方法在审
| 申请号： | 201710546970.5 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107221506A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 邓安进 | 申请（专利权）人： | 辛格顿（苏州）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导热 效率 石墨 复合 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高导热效率石墨复合片的制作方法，所述石墨复合片包括表面与热源相接触的石墨片以及贯穿所述石墨片的多片导热铜箔，所述导热铜箔的厚度与所述石墨片的厚度相同；其特征在于，它包括以下步骤：
（a）将石墨卷冲切成石墨片，并冲压形成多个通孔；
（b）将铜箔卷冲切成导热铜箔；
（c）将所述导热铜箔填入所述通孔中即可。
2.根据权利要求1所述的高导热效率石墨复合片的制作方法，其特征在于：它还包括步骤（d）在所述石墨片另一表面粘贴形成粘结层。
3.根据权利要求1所述的高导热效率石墨复合片的制作方法，其特征在于：它还包括步骤（d'）将步骤（c）得到的产品置于1000~1080℃、真空条件下保温10~30分钟后降至室温。
4.根据权利要求3所述的高导热效率石墨复合片的制作方法，其特征在于：所述步骤（d'）中，其升温速度为30~50℃/h，其降温速度为50~100℃/h。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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