[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括：

第一沟道、第一源极和第一漏极；

第二沟道、第二源极和第二漏极；以及

栅极结构，设置在所述第一沟道和所述第二沟道上方，所述栅极结构包括栅极介电层和栅电极层，其中：

所述第一源极包括第一晶体半导体层并且所述第二源极包括第二晶体半导体层，

所述第一源极和所述第二源极通过由一种或多种IV族元素和一种或多种过渡金属元素制成的合金层连接，和

所述第一晶体半导体层未与所述第二晶体半导体层直接接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体半导体层和所述第二晶体半导体层之间的间隔填充有所述合金层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体半导体层是不同晶体半导体材料的多层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述场效应晶体管是鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管包括突出于半导体衬底的第一鳍和第二鳍，以及

所述第一晶体半导体层是所述第一鳍的一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述合金层直接覆盖所述第一晶体半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述场效应晶体管是鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管包括突出于半导体衬底的第一鳍和第二鳍，以及

所述第一晶体半导体层包括在所述第一鳍的一部分上形成的不同晶体半导体材料的一层或多层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述合金层直接覆盖所述第一晶体半导体层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟道和所述第二沟道由Si、Si_xGe_1-x或Ge制成，其中，0<x<1。

9.一种包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)的半导体器件，所述鳍式场效应晶体管包括：

衬底；

绝缘层，形成在所述衬底上；

第一鳍，突出于所述衬底，从所述绝缘层突出的所述第一鳍的上部用作第一沟道；

第一源极和第一漏极，接触所述第一沟道；

第二鳍，突出于所述衬底，从所述绝缘层突出的所述第二鳍的上部用作第二沟道；

第二源极和第二漏极，接触所述第二沟道；以及

栅极结构，设置在所述第一沟道和所述第二沟道上方，所述栅极结构包括栅极介电层和栅电极层，其中：

所述第一源极包括由与所述第一沟道不同的材料制成的第一晶体半导体层，

所述第二源极包括由与所述第二沟道不同的材料制成的第二晶体半导体层，

所述第一源极和所述第二源极通过金属合金层连接，

通过金属与所述第一源极和所述第二源极之间的反应形成所述金属合金层，和

所述第一晶体半导体层未与所述第二晶体半导体层直接接触。

10.一种制造包括场效应晶体管(FET)的半导体器件的方法，所述方法包括：

形成第一场效应晶体管结构和第二场效应晶体管结构，所述第一场效应晶体管结构具有第一沟道、第一源极、第一漏极和共同的栅极，所述第二场效应晶体管结构具有第二沟道、第二源极、第二漏极和所述共同的栅极；

在所述第一源极和所述第二源极上形成合金层，其中：

所述第一源极包括第一晶体半导体层并且所述第二源极包括第二晶体半导体层，

所述第一源极和所述第二源极通过所述合金层连接，

所述合金层由一种或多种IV族元素和一种或多种过渡金属元素制成，以及

所述第一晶体半导体层未与所述第二晶体半导体层直接接触。